如上所述,死区时间一方面应该满足避免桥臂直通的要求,另一方面死区时间应尽可能的小以确保电压源逆变器正常工作。所以这里的一大挑战是为专用IGBT器件和IGBT驱动找到一个合适的死区时间。 2.1 死区时间计算基础 对于控制死区时间的计算,我们使用以下公式: Td_off_max :最大关断延迟时间。最大关断延迟时间 Td_on_min ...
首先假设输出电流按图示方向流动，而IGBT1由开通到关断，IGBT2经过一小段死区时间后由关断到开通。 在有...
一般来说死区时间是不可以改变的,只取决于功率元件制作工艺。 死区时间的计算? TD:死区时间; Toff: IGBT关断延迟时间(Turn-off delay time);Ton: IGBT开通延迟时间(Turn-on delay time); Tf:上升时间;Tr:下降时间; TPHL :驱动芯片关断延迟时间;TPLH :驱动芯片开通延迟时间 FS820R08A6P2B 参数 1ED020I12FA2...
如何正确计算并最大限度减小IGBT的死区时间
首先假设输出电流按图示所示方向流动，IGBT T1 从 ON 切换到 OFF，并且 IGBT T2 在经过短暂的死区时间...
SVPWM逆变器死区效应的时间补偿方法研究.pdf 上传者:sfdfsdfdsfsdffsd时间:2010-02-02 IGBT驱动有效死区时间(active deadtime)计算与仿真 采用MathCAD14.0计算IGBT驱动有效死区时间(active deadtime),计算中考虑电阻、电容的累积偏差,并用simlipis进行了仿真。压缩文件中包含.xmcd格式原文件。
根据这些条件,应进行测试,然后可以使用等式 (1) 根据测试结果计算控制死时间。 由于死区时间对逆变器的性能有负面影响,必须最小化,可以采取下面一些措施: l 选择足够强大的驱动器以吸收或提供IGBT峰值门极电流; l 使用负电源加速关断; l 基于更快速的信号传输技术,如无芯变压器技术优于传统光耦技术; ...
我们用下列公式计算控制死区时间: 其中, td_off_max:最大关断延迟时间。 td_on_min:最小开通延迟时间。 tpdd_max:驱动器最大传输延迟时间。 tpdd_min:驱动器最小传输延迟时间。 1.2:安全裕度。 在该公式中,第一项td_off_max-td_on_min为最大关断延迟时间和最小开通延迟时间之差。这一项主要描述IGBT器件结...
如前所述,死区时间的选择一方面要满足避免 IGBT桥臂直通的要求,另一方面应当要尽可能小以确保电压源型逆变器的正确运行。因此这里的一个很大的挑战就是如何为一个专用 IGBT和驱动电路找出合适的死区时间。 我们可以使用如下公式计算死去时间: 在这个公式中,第一项td_off_max 是最大的关断延迟时间与最小的开通延迟...
区时间。 计算合适的死区时间 如上所述,死区时间一方面应该满足避免桥臂直通的要求,另一方面死区时间应尽可能的 小以确保电压源逆变器正常工作。所以这里的一大挑戓是为与用IGBT器件和IGBT驱动找 到一个合适的死区时间。 2.1死区时间计算基础 Forcalculationofcontroldeadtimeweusethefollowingequation: ...