与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）FET在功率密度和效率方面表现出色。SiC器件能够提供高达1,200V的电压等级，并具备高载流能力，非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场以及大型三相电网转换器等应用。而GaN FET，如600V等级的产品，在高功率密度转换器...
功率半导体GaO开始挑战GaN和SiC | 半导体行业观察 来源:内容由公众号 半导体行业观察(ID:icbank)翻译自「Source Today」,作者 Sam Davis,谢谢。 半导体世界可能会有一个新的参与者,它以氧化镓技术的形式出现。根据布法罗大学(UB)工… 半导体行业...发表于半导体行业... 半导体工艺-GaN HEMT工艺和GaAs PHEMT工艺 淡...
在100 kHz 运行时,IGBT 仍然是最经济的选择,但具有高损耗。GaN 器件以极低的价格实现最低的功率损耗,并为高频操作提供了极具吸引力的价值。 图5:最低功耗结果汇总 在图5 中,显示了我们观察到的硅 IGBT、MOSFET、SiC 和 GaN 的最低功率损耗结果汇总。 与GaN 相比,碳化硅器件的性价比优势减弱,因为开关频率增加...
1. **材料**: IGBT和MOSFET通常使用硅作为半导体材料,而SiC和GaN是新型宽带隙半导体。 2. **开关速度**: GaN和SiC可以提供比普通硅基设备更高的开关速度。 3. **功率**: SiC和GaN特别适合高功率应用,而MOSFET和IGBT适用于不同的功率范围。 4. **效率**: GaN和SiC通常比硅基设备具有更高的效率,尤其在...
隔离式栅极驱动器的演变(IGBT/SiC/GaN)-报告内容包含:效率和功率密度推动变革基本的 MOSFET 栅极驱动器功能驱动器演进以支持 IGBT(绝缘栅双极晶体管)驱动器进化以支持 SiC(碳化硅)
IGBT紧缺的同时，第三类半导体快速崛起。据悉，GaN器件可以帮助电动车牵引逆变器实现更高的能源效率，此外，GaN在消费充电领域也有很强的表现。而SiC器件的特性优势是可以把功率半导体的封装做得更小；其次撇去价格成本，其在车用主逆变器，SiC模块比IGBT模块拥有更高的系统效率；最后是SiC的高压适用性，特别是高压1200...
国产650V碳化硅(SiC)MOSFET在应用趋势上全面取代超结MOSFET、高压GaN器件以及650V IGBT,国产SiC碳化硅MOSFET在650V功率器件争霸中胜出并笑傲江湖主要得益于其材料特性、性能优势、成本竞争力以及行业需求变革等多方面因素的综合推动。以下从技术、应用场景和市场趋势三个维度进行详细分析: ...
国产碳化硅(SiC)MOSFET(如BASiC基本股份)以低价策略迅速占领市场,并显著挤压高压氮化镓(GaN)器件的生存空间,这一现象的背后是技术成熟度、成本控制、可靠性以及产业链协同等多重因素的共同作用。倾佳电子杨茜从以下核心原因和行业影响两方面展开分析: 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口...
IGBT、SiC、GaN大功率分立器件测试仪，迈向未来科技前沿！1、高功率半导体IGBT、SiC、GaN测试设备有哪些？功率半导体设备被广泛应用于电力输电、轨道交通、新能源汽车和航空航天等行业。它不仅在市场上需求量大，而且还具备节能和环保的综合社会效益，可以推动社会的可持续发展。在功率半导体的研发和设计应用中，对设备的...
高压GaN(氮化镓)器件在工业和汽车应用存在的致命弱点和被成熟低价的碳化硅MOSFET取代的原因。 高压GaN(氮化镓)器件虽然因其高电子迁移率、高击穿场强和高频特性备受青睐,但在大功率高压应用(如电动汽车、光伏逆变器、电网系统)中,国产碳化硅(SiC)MOSFET(比如BASiC基本股份)凭借其技术成熟度、成本下降趋势和系统级可靠性,...