IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS主编是来自加州大学伯克利分校的Sayeef Salahuddin。h-index达到135,相比于同类著名期刊如IEEE TRANSACTIONS ON PATTERN ANALYSIS AND MACHINE INTELLIGENCE(h-index为326),表明影响力和权威性一般。在电子与电气工程领域,JIF 在275份期刊中排名70,JIF 百分位是74.7%,表面在科研领域具有一定的...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS《IEEE电子器件快报》 (官网投稿) 简介 期刊简称IEEE ELECTR DEVICE L 参考译名《IEEE电子器件快报》 核心类别 高质量科技期刊(T2), SCIE(2024版), 目次收录(维普), 目次收录(知网),外文期刊, IF影响因子 自引率11.00% 主要研究方向工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC...
《IEEE Electron Device Letters》审稿周期约1.3个月(非官方)。 6 版面费 根据官网显示《IEEE Electron Device Letters》支持开放获取,发表文章不需要支付版面费。 05收录情况 《IEEE Electron Device Letters》被4个数据库收录,分别是Science Citation Index Expanded、Current Contents Electronics & Telecommunications Col...
IEEE Electron Device Letters的文章格式要求是按照IEEE模板进行排版。作者可以在IEEE官网上找到最新的模板下载,并按照模板中的说明进行排版。文章应该采用双栏排版,具有专业的排版风格。 文章的标题应该简洁明了,能够反映文章的主题。标题应该突出研究的重点,吸引读者的注意。 正文部分应该分为引言、方法、结果和讨论、结论...
第一篇IEEE Electron Device Letters录用，为后续几篇EDL和TED攒人品，附投稿状态回馈小木虫 这篇投EDL的...
编辑部地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 录用难度:约25% 统计分析 影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数 Created with Highcharts 10.0.0年份IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS SCISCIE IEEE电子设备字母ISSN:0741-3106研究方向:工程技术出版周期:Monthly是否OA:NoESSN:1558-0563国际简称:IEEE ELECTR DEVICE L创刊时间:1980年发文量:419出版地:UNITED STATES官网:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55...
IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect ...
福州辑思编译整理了最新的IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 期刊投稿经验, 期刊官方投稿网址,审稿周期/时间,研究方向,SCI期刊分区。
9.11 小修（Figure的线条的粗细）9.12 提交 9.12 接收 EDL真的是一个非常好的杂志，在MEMS领域内...