IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发表了与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性相关的原创和重大贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料,在生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、 成像、微致动器、纳米电子学、光电子学、光...
根据官网显示《IEEE Electron Device Letters》支持开放获取,发表文章不需要支付版面费。 05收录情况 《IEEE Electron Device Letters》被4个数据库收录,分别是Science Citation Index Expanded、Current Contents Electronics & Telecommunications Collection 、 Current Contents Engineering, Computing & Technology 、Essential ...
录用难度:约25% 统计分析 影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数 Created with Highcharts 10.0.0年份IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响因子IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响因子20142015201620172018201920202021202222.533.544.55 ...
①IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的影响因子呈上升趋势,2023年最新影响因子为4.9。 ②IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的自引率总体不高,2023年度为10.2%。 ③IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS最近五年发文量分别为448,459,417,429,522。 目前,发文量最多的国家为美国,我国国人发文2347篇,占比23.2%。 ④IEEE ELECTRON DEVIC...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS《IEEE电子器件快报》 (官网投稿) 简介 期刊简称IEEE ELECTR DEVICE L 参考译名《IEEE电子器件快报》 核心类别 高质量科技期刊(T2), SCIE(2024版), 目次收录(维普), 目次收录(知网),外文期刊, IF影响因子 自引率11.00% 主要研究方向工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC...
第一篇IEEE Electron Device Letters录用，为后续几篇EDL和TED攒人品，附投稿状态回馈小木虫 这篇投EDL的...
福州辑思编译整理了最新的IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 期刊投稿经验, 期刊官方投稿网址,审稿周期/时间,研究方向,SCI期刊分区。
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 影响指数:4.575 期刊ISSN:0741-3106年文章数:419国人占比:0.35 自引率:12.00%版面费:US$2195审稿周期:Monthly是否OA:否 JCR分区:Q1中科院分区:Q1出版国家/地区:UNITED STATES是否预警:不在预警名单内 相关指数 影响因子 影响因子...
期刊主页 ieee electron device letters主页 期刊评价 您选择的ieee electron device letters的指数解析如下: 简介:IEEE ELECTR DEVICE L杂志属于工程技术行业,“工程:电子与电气”子行业的顶级杂志。投稿难度评价:虽然影响因子不是很高,但是也是行业的知名杂志,要求很高,投稿不太容易 审稿速度:较快,2-4周级别/热度:...