IEEE Electron Device Letters是一个非常重要的学术期刊,专门发表电子器件领域的研究成果。文章发表在IEEE Electron Device Letters上具有权威性和影响力,因此对于电子器件领域的研究人员来说,投稿并在这个期刊上发表文章是非常重要的。 在撰写文章之前,作者需要了解IEEE Electron Device Letters的文章格式要求。这样可以确保...
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deviceelectronlettersalganschottkyvol IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.34,NO.8,AUGUST2013981AlGaN/GaNSchottkyBarrierDiodesonSiliconSubstratesWithSelectiveSiDiffusionforLowOnsetVoltageandHighReverseBlockingYi-WeiLian,Yu-SyuanLin,Jui-MingYang,Chih-HsuanCheng,andShawnS.H.HsuAbstract—Inthisletter,aselectiveSidiffusionappr...
electronlettersdevicevoletchingaas IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.35,NO.5,MAY2014521Nanometer-ScaleVertical-SidewallReactiveIonEtchingofInGaAsfor3-DIII-VMOSFETsXinZhao,StudentMember,IEEE,andJesúsA.delAlamo,Fellow,IEEEAbstract—Thisletterintroducesanovelinductivelycoupledplasma-reactiveionetching(ICP-RIE)techniquebas...
文章分类 物联网 第一章 简介 太赫兹波是介于微波和光波之间的光谱区域,频率从 0.1THz ~ 10THz 之间,波长在 3mm ~ 30μm 之间。提供大块连续的频带范围以满足对 Tbit/s 内极高数据传输速率的需求,使该区域成为下一代无线通信(6G)的重点研究领域。预计在 2030年 左右实现商业部署,太赫兹区域在 成像、光谱...
出版区域:美国 定价:0 出版地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 期刊邮箱: 投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/edl 期刊网址: https://eds.ieee.org/publications/electron-device-letters 出版商网址: http://www.ieee.org IEEE...
从官网数据显示来看,IEEE Electron Device Letters,平均4-6个月左右可接收。 版面费 期刊IEEE Electron Device Letters为OA期刊,传统模式,不收版面费, 小编评价:影响因子:中发文量:高稿审速度:中版面费:无国人文章占比:高自引率:安全 大家有什么想要了解的杂志,或者有什么想了解的期刊指标都可以留言中告诉小编欧...
《IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS》——工程技术-工程:电子与电气领域学术期刊,是本由英国工程技术学会(IET)于1980年创办的半月刊,现由Wiley出版。期刊主编为来自英国伦敦帝国理工学院的Chris Toumazou教授和英国巴斯大学的Ian White教授。 ISSN:0741-3106 01 影响因子 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS影响因子近年来持续上升...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - JUNI - VOL. 16, NO. 6 A two-dimensional device simulator for laser diodes is introduced, and its capability for quantitative device design of InGaAsP lasers is shown. This static and dynamic device simulator is based on the self-consistent analysis of five ba....
内容提示: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 26, NO. 10, OCTOBER 2005 731High-Performance Hydrogenated Amorphous-Si TFTfor AMLCD and AMOLED ApplicationsChi-Wen Chen, Ting-Chang Chang, Po-Tsun Liu, Hau-Yan Lu, Kao-Cheng Wang, Chen-Shuo Huang,Chia-Chun Ling, and Tesung-Yuen Tseng, Fellow...