IEEE Electron Device Letters的文章格式要求是按照IEEE模板进行排版。作者可以在IEEE官网上找到最新的模板下载,并按照模板中的说明进行排版。文章应该采用双栏排版,具有专业的排版风格。 文章的标题应该简洁明了,能够反映文章的主题。标题应该突出研究的重点,吸引读者的注意。 正文部分应该分为引言、方法、结果和讨论、结论...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS《IEEE电子器件快报》 (官网投稿) 简介 期刊简称IEEE ELECTR DEVICE L 参考译名《IEEE电子器件快报》 核心类别 高质量科技期刊(T2), SCIE(2024版), 目次收录(维普), 目次收录(知网),外文期刊, IF影响因子 自引率11.00% 主要研究方向工程技术-ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC...
②IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的自引率总体不高,2023年度为10.2%。 ③IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS最近五年发文量分别为448,459,417,429,522。 目前,发文量最多的国家为美国,我国国人发文2347篇,占比23.2%。 ④IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发文量比较可观、影响因子4.9,国人占比23.2%,自引率很稳定,可以尝试投稿。
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发表了与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性相关的原创和重大贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料,在生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、 成像、微致动器、纳米电子学、光电子学、光...
第一篇IEEE Electron Device Letters录用,为后续几篇EDL和TED攒人品,附投稿状态回馈小木虫 这篇投EDL的...
IEEEELECTRONDEVICELETTERSVOL4635NO465MAY 系统标签: electronlettersdevicevoletchingaas IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.35,NO.5,MAY2014521Nanometer-ScaleVertical-SidewallReactiveIonEtchingofInGaAsfor3-DIII-VMOSFETsXinZhao,StudentMember,IEEE,andJesúsA.delAlamo,Fellow,IEEEAbstract—Thisletterintroducesanovelinductively...
IEEE Electron Device Letters 投稿求助作者 iamphfeng来源: 小木虫 250 5 举报帖子 +关注 第一次投IEEE,很多不懂,求大神指点~ 1.IEEE 采用Scholarone manuscript系统提交论文,其中在authorys&insititutions这一步,有个问题。我是自己注册的IEEE所以在上传时默认我是通讯作者,怎么能让老板变成通讯作者?在文章里...
刊名IEEE Electron Device Letters 参考译名IEEE电子器件快报 收藏年代1998~2007 全部 199819992000200120022003 2004200520062007 题名作者出版年年卷期 Strained-SOI n-Channel Transistor With Silicon-Carbon Source/Drain Regions for Carrier Transport EnhancementKing-Jien Chui; Kah-Wee Ang; Hock-Chun Chin; Chen She...
《IEEE Electron Device Letters》 上发表类脑神经器件重要成果 近日,青岛大学电子信息(微纳技术)学院单福凯教授课题组在神经形态电子器件领域取得重要进展,该课题组利用电纺ZnSnO纳米线作为沟道材料,成功研制出低功耗纳米线突触晶体管。 利用...