IEEE Electron Device Letters是一个非常重要的学术期刊,专门发表电子器件领域的研究成果。文章发表在IEEE Electron Device Letters上具有权威性和影响力,因此对于电子器件领域的研究人员来说,投稿并在这个期刊上发表文章是非常重要的。 在撰写文章之前,作者需要了解IEEE Electron Device Letters的文章格式要求。这样可以确保...
出版区域:美国 定价:0 出版地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 期刊邮箱: 投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/edl 期刊网址: https://eds.ieee.org/publications/electron-device-letters 出版商网址: http://www.ieee.org IEEE...
IEEEELECTRONDEVICELETTERSVOL4635NO465MAY 系统标签: electronlettersdevicevoletchingaas IEEEELECTRONDEVICELETTERS,VOL.35,NO.5,MAY2014521Nanometer-ScaleVertical-SidewallReactiveIonEtchingofInGaAsfor3-DIII-VMOSFETsXinZhao,StudentMember,IEEE,andJesúsA.delAlamo,Fellow,IEEEAbstract—Thisletterintroducesanovelinductively...
第一篇IEEE Electron Device Letters录用,为后续几篇EDL和TED攒人品,附投稿状态回馈小木虫 这篇投EDL的...
参考文献An InAlAs/InAs MODFET G. Fonstad, "An InAlAs/InAs MODFET," IEEE Electron Device Letters, vol. 12, pp. 707-709, December 1991.Eugster C C,,Broekaert T,del Alamo J A... CC Eugster,TPE Broekaert,JAD Alamo,... - Indium Phosphide & Related Materials, Third International Conference...
刊名 IEEE Electron Device Letters 参考译名 IEEE电子器件快报 收藏年代 1998~2007 全部 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2005, vol.26, no.1 2005, vol.26, no.10 2005, vol.26, no.11 2005, vol.26, no.12 2005, vol.26, no.2 2005, vol.26, no.3 2005, vol.26...
IEEE Electron Device Letters 投稿求助作者 iamphfeng来源: 小木虫 250 5 举报帖子 +关注 第一次投IEEE,很多不懂,求大神指点~ 1.IEEE 采用Scholarone manuscript系统提交论文,其中在authorys&insititutions这一步,有个问题。我是自己注册的IEEE所以在上传时默认我是通讯作者,怎么能让老板变成通讯作者?在文章里...
②IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的自引率总体不高,2023年度为10.2%。 ③IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS最近五年发文量分别为448,459,417,429,522。 目前,发文量最多的国家为美国,我国国人发文2347篇,占比23.2%。 ④IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发文量比较可观、影响因子4.9,国人占比23.2%,自引率很稳定,可以尝试投...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS简称:IEEE ELECTR DEVICE L 大类:工程技术 小类:工程:电子与电气 ISSN:0741-3106 ESSN:1558-0563 IF值:3.753 出版地:UNITED STATES 点击咨询相似期刊 声明:①本页面非期刊官网,不以期刊名义对外征稿,仅展示期刊信息做参考.投稿、查稿,请移步至期刊官网. ②如果您是期刊负责人且不...