②IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的自引率总体不高,2023年度为10.2%。 ③IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS最近五年发文量分别为448,459,417,429,522。 目前,发文量最多的国家为美国,我国国人发文2347篇,占比23.2%。 ④IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发文量比较可观、影响因子4.9,国人占比23.2%,自引率很稳定,可以尝试投稿。
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发表了与电子和离子集成电路器件和互连的理论、建模、设计、性能和可靠性相关的原创和重大贡献,涉及绝缘体、金属、有机材料、微等离子体、半导体、量子效应结构、真空器件和新兴材料,在生物电子学、生物医学电子学、计算、通信、显示器、微机电、 成像、微致动器、纳米电子学、光电子学、光...
出版区域:美国 定价:0 出版地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 期刊邮箱: 投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/edl 期刊网址: https://eds.ieee.org/publications/electron-device-letters 出版商网址: http://www.ieee.org IEEE...
《IEEE Electron Device Letters》的影响因子稳定,最新的影响因子4.9分。 2 自引率 《IEEE Electron Device Letters》最新自引率为10.2%,在安全范围内,请放心投稿。 3发文量 《IEEE Electron Device Letters》近年来发文量具体如下:2019-2020年459篇,2020-2021年417篇,2021-2022年429篇,目前,2022-2023年期刊被sc...
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IEEE Electron Device Letters该刊的官方投稿网址为: mc.manuscriptcentral.com 自引率 期刊IEEE Electron Device Letters自引率为10.2% 影响因子 期刊IEEE Electron Device Letters,最新影响因子为4.9,近年变化不大 后台扫描,可以查看更多期刊信息 审稿周期 从官网数据显示来看,IEEE Electron Device Letters,平均4-6个...
期刊投稿网址http://mc.manuscriptcentral.com/edl 收稿范围 IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic ...
编辑部地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 录用难度:约25% 统计分析 影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数 Created with Highcharts 10.0.0年份IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响...
《Ieee Electron Device Letters》(IEEE 电子器件字母)编辑部通讯方式为IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要协助投稿或润稿服务,您可以咨询我们的客服老师。我们专注于期刊投稿服务十年,熟悉发表政策,可为您提供一对一投稿指导,避免您在投稿时...
Ieee Electron Device Letters ISSN:0741-3106 ESSN:1558-0563 国际标准简称:IEEE ELECTR DEVICE L 出版地区:UNITED STATES 出版周期:Monthly 研究方向:工程技术 - 工程:电子与电气 出版年份:1980 语言:English 是否OA:未开放 学科领域 工程技术 中科院分区...