1、投稿方式:在线投稿。 2、期刊网址: https://eds.ieee.org/publications/electron-device-letters https://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55 3、投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/edl 4、官网邮箱:alamo@mit.edu(主编) m.piatkiewicz@ieee.org(编辑部) 5、期刊刊期:月刊,一年...
投稿指南 期刊投稿网址http://mc.manuscriptcentral.com/edl 收稿范围 IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals,...
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Ieee Electron Device Letters ISSN:0741-3106 ESSN:1558-0563 国际标准简称:IEEE ELECTR DEVICE L 出版地区:UNITED STATES 出版周期:Monthly 研究方向:工程技术 - 工程:电子与电气 出版年份:1980 语言:English 是否OA:未开放 学科领域 工程技术 中科院分区...
IEEE Electron Device Letters该刊的官方投稿网址为: mc.manuscriptcentral.com 自引率 期刊IEEE Electron Device Letters自引率为10.2% 影响因子 期刊IEEE Electron Device Letters,最新影响因子为4.9,近年变化不大 后台扫描,可以查看更多期刊信息 审稿周期 从官网数据显示来看,IEEE Electron Device Letters,平均4-6个...
IEEE Electron Device Letters 参考译名 IEEE电子器件快报 收藏年代 1998～2007全部1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2005, vol.26, no.1 2005, vol.26, no.10 2005, vol.26, no.11 2005, vol.26, no.12 2005, vol.26, no.2 2005, vol.26, no.3 2005, vol.26, no.4 ...
《Ieee Electron Device Letters》(IEEE 电子器件字母)编辑部通讯方式为IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。如果您需要协助投稿或润稿服务,您可以咨询我们的客服老师。我们专注于期刊投稿服务十年,熟悉发表政策,可为您提供一对一投稿指导,避免您在投稿时...
编辑部地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 录用难度:约25% 统计分析 影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数 Created with Highcharts 10.0.0年份IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS SCISCIE IEEE电子设备字母ISSN:0741-3106研究方向:工程技术出版周期:Monthly是否OA:NoESSN:1558-0563国际简称:IEEE ELECTR DEVICE L创刊时间:1980年发文量:419出版地:UNITED STATES官网:http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=55...
Journal Abbreviation: IEEE ELECTR DEVICE L Journal ISSN: 0741-3106 About Ieee Electron Device Letters This publication publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, invol...