IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS最新自引率为8.70%,数值比较低,在安全范围内。 06 文章类型 原创文章 07 研究领域 发表了与电子和离子集成电路器件和互连的理论,建模,设计,性能和可靠性相关的原创性和重要贡献,涉及绝缘体,金属,有机材料,微等离子体,半导体,量子效应结构,真空器件和新兴材料,应用于生物电子学,生物医学...
《IEEE Electron Device Letters》近年来中科院分区等级十分稳定,维持2区,水平较高,期刊影响因子、发文量呈现向上的趋势,自引率低,审稿相对较快,支持开源且不收取版面费,故预测该期刊明年的中科院分区大概率能升为1区。 04 其他信息 1 影响因子 《IEEE Electron Device Letters》的影响因子稳定,最新的影响因子4.9分。
IEEE Electron Device Letters该刊的官方投稿网址为: mc.manuscriptcentral.com 自引率 期刊IEEE Electron Device Letters自引率为10.2% 影响因子 期刊IEEE Electron Device Letters,最新影响因子为4.9,近年变化不大 后台扫描,可以查看更多期刊信息 审稿周期 从官网数据显示来看,IEEE Electron Device Letters,平均4-6个...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 影响指数:4.575 期刊ISSN:0741-3106年文章数:419国人占比:0.35 自引率:12.00%版面费:US$2195审稿周期:Monthly是否OA:否 JCR分区:Q1中科院分区:Q1出版国家/地区:UNITED STATES是否预警:不在预警名单内 相关指数 影响因子 影响因子...
编辑部地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 录用难度:约25% 统计分析 影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数 Created with Highcharts 10.0.0年份IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响...
近日,电子科技大学功率集成技术实验室(PITeL)在电子器件领域旗舰期刊《IEEE Electron Device Letters》2022年第7期上,同期发表了题为“Novel High-Tolerance Termination with Resistive Field Plate for 600 V Super-Junction Vertical Double-...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS简称:IEEE ELECTR DEVICE L 大类:工程技术 小类:工程:电子与电气 ISSN:0741-3106 ESSN:1558-0563 IF值:3.753 出版地:UNITED STATES 点击咨询相似期刊 声明:①本页面非期刊官网,不以期刊名义对外征稿,仅展示期刊信息做参考.投稿、查稿,请移步至期刊官网. ②如果您是期刊负责人且不...
期刊主页 ieee electron device letters主页 期刊评价 您选择的ieee electron device letters的指数解析如下: 简介:IEEE ELECTR DEVICE L杂志属于工程技术行业,“工程:电子与电气”子行业的顶级杂志。投稿难度评价:虽然影响因子不是很高,但是也是行业的知名杂志,要求很高,投稿不太容易 审稿速度:较快,2-4周级别/热度:...
福州辑思编译整理了最新的IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 期刊投稿经验, 期刊官方投稿网址,审稿周期/时间,研究方向,SCI期刊分区。
第一篇IEEE Electron Device Letters录用，为后续几篇EDL和TED攒人品，附投稿状态回馈小木虫 这篇投EDL的...