《IEEE Electron Device Letters》在中科院2023年12月最新升级版中,大类学科工程技术位于2区,小类工程:电子与电气位于2区,非综述类期刊。 在JCR分区中,工程:电子与电气位于Q2。 03分区预测 《IEEE Electron Device Letters》近年来中科院分区等级十分稳定,维持2区,水平较高,期刊影响因子、发文量呈现向上的趋势,自引...
②IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的自引率总体不高,2023年度为10.2%。 ③IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS最近五年发文量分别为448,459,417,429,522。 目前,发文量最多的国家为美国,我国国人发文2347篇,占比23.2%。 ④IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发文量比较可观、影响因子4.9,国人占比23.2%,自引率很稳定,可以尝试投稿。
所属分区:2区 是否TOP:非TOP期刊 是否综述:非综述期刊 是否OA:非OA期刊 国际标准刊号:ISSN 0741-3106;EISSN 1558-0563 期刊语言:英语 定价:0 地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 期刊邮箱: 投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/edl...
出版区域:美国 定价:0 出版地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 期刊邮箱: 投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/edl 期刊网址: https://eds.ieee.org/publications/electron-device-letters 出版商网址: http://www.ieee.org IEEE...
IEEE Electron Device LettersEIPubMedAJSCIE中科院2区JCR:Q2 发文量15,901 被引量290,453 影响因子(2023)2.215 IEEE Electron Device Letters publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and...
期刊IEEE Electron Device Letters在2022年12月最新基础版与最新升级版中,分区如下。 刊文量 : 根据Web of Science收录的论文来看,2022-2023年度发文522篇,国人发文量占比排名第一 与杂志IEEE Electron Device Letters相似度较高的期刊,主要有以下类型及期刊: IEEE Electron Device Letters该刊的官方投稿网址为:...
2022年12月最新升级版工程技术 2区ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 2区工程:电子与电气否否 2021年12月最新升级版工程技术 2区ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 2区工程:电子与电气否否 2021年12月最新升级版工程技术 2区ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC ...
Created with Highcharts 10.0.0年份IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响因子IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响因子20142015201620172018201920202021202222.533.544.55 联系我们 地址 四川省成都市天府新区华阳街道 新希望大道二段158号 锦官丽城25栋1单元1层109号...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS简称:IEEE ELECTR DEVICE L 大类:工程技术 小类:工程:电子与电气 ISSN:0741-3106 ESSN:1558-0563 IF值:3.753 出版地:UNITED STATES 点击咨询相似期刊 声明:①本页面非期刊官网,不以期刊名义对外征稿,仅展示期刊信息做参考.投稿、查稿,请移步至期刊官网. ②如果您是期刊负责人且不...