《IEEE Electron Device Letters》近年来中科院分区等级十分稳定,维持2区,水平较高,期刊影响因子、发文量呈现向上的趋势,自引率低,审稿相对较快,支持开源且不收取版面费,故预测该期刊明年的中科院分区大概率能升为1区。 04 其他信息 1 影响因子 《IEEE Electron Device Letters》的影响因子稳定,最新的影响因子4.9分。
②IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS的自引率总体不高,2023年度为10.2%。 ③IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS最近五年发文量分别为448,459,417,429,522。 目前,发文量最多的国家为美国,我国国人发文2347篇,占比23.2%。 ④IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS发文量比较可观、影响因子4.9,国人占比23.2%,自引率很稳定,可以尝试投稿。
从官网数据显示来看,IEEE Electron Device Letters,平均4-6个月左右可接收。 版面费 期刊IEEE Electron Device Letters为OA期刊,传统模式,不收版面费, 小编评价:影响因子:中发文量:高稿审速度:中版面费:无国人文章占比:高自引率:安全 大家有什么想要了解的杂志,或者有什么想了解的期刊指标都可以留言中告诉小编欧...
定价:0 地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 期刊邮箱: 投稿网址:http://mc.manuscriptcentral.com/edl 期刊网址:https://eds.ieee.org/publications/electron-device-letters 出版商网址:http://www.ieee.org ...
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 影响指数:4.575 期刊ISSN:0741-3106年文章数:419国人占比:0.35 自引率:12.00%版面费:US$2195审稿周期:Monthly是否OA:否 JCR分区:Q1中科院分区:Q1出版国家/地区:UNITED STATES是否预警:不在预警名单内 相关指数 影响因子 影响因子...
IEEE Electron Device Letters是IEEE Transactions on Electron Devices的子刊,是一个专注于电子器件的研究的高水平期刊。该期刊发表的文章主要涵盖了各种电子器件的设计、制造、性能和应用方面的研究成果。 在撰写文章时,作者需要按照IEEE Electron Device Letters的特定格式来编写。下面将介绍一些常见的文章格式要求: 1. ...
《IEEE Electron Device Letters》 上发表类脑神经器件重要成果 近日,青岛大学电子信息(微纳技术)学院单福凯教授课题组在神经形态电子器件领域取得重要进展,该课题组利用电纺ZnSnO纳米线作为沟道材料,成功研制出低功耗纳米线突触晶体管。 利用...
编辑部地址:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141 录用难度:约25% 统计分析 影响因子:指该期刊近两年文献的平均被引用率,即该期刊前两年论文在评价当年每篇论文被引用的平均次数 Created with Highcharts 10.0.0年份IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS近年影响...
近日,电子科技大学功率集成技术实验室(PITeL)在电子器件领域旗舰期刊《IEEE Electron Device Letters》2022年第7期上,同期发表了题为“Novel High-Tolerance Termination with Resistive Field Plate for 600 V Super-Junction Vertical Double-...