ICP等离子体增强气相沉积(ICPECVD)是化学气相沉积技术中的一种其基本原理是将射频放电的物理过程与化学气相沉积相结合,利用ICP等离子体对反应前驱体进行裂解,如制备高硬度、耐高温、耐腐蚀的Si3N4薄膜[11]。ICP等离子体在工业上的另一个主要应用是等离子体干法刻蚀,尤其是反应离子刻蚀(RIE)ICP等离子体干法刻蚀可以克服...
当放电气压较高时(几百mTorr以上),如等离子体增加化学气相沉积(PECVD)过程,可以采用纯流体力学模拟方法;当放电气压较低时(几十mTorr以下),可以采用PIC/MCC模拟方法;当放电气压中等时(几十~几百mTorr),可以采用Fluid/MCC模拟方法。它们之间并没有严格的界限,也要看模型的仿真区域大小、电源频率、等离子体密度等参...
一、分析了PECVD 系统中极板间距、射频频率、功率、衬底温度、气压、 反应气体组分和流量等主要工艺参数对 SiO 2 和氮化硅薄膜性能的影响。制备了 具有良好台阶覆盖能力的 PECVD SiO 2 薄膜。使用单一频率(13.56MHz)淀积 了耐腐蚀的低应力(<30MPa)氮化硅薄膜。 二、在ICP 刻蚀中,通过对F 基和Cl 基气体刻蚀机...
电感耦合等离子体刻蚀(ICP,Inductively Couple Plasma)刻蚀工作原理是:用高频火花引燃时,部分Ar工作气体被电离,产生的电子和氩离子在高频电磁场中被加速,它们与中性原子碰撞,使更多的工作气体电离,形成等离子体气体。导电的等离子体气体在磁场作用下感生出的强大的感生电流产生大量的热能又将等离子体加热,使其温度达到1...
1.在刻蚀到一定深度时候由于副产物堆积在需要刻蚀的沟道&通孔中导致刻蚀速度大幅下降甚至停止 2.随着蚀刻...
ICP原理和应用一ICP发射光谱分析原理根据原子的特征发射光谱来研究物质的结构和测定物质的化学成分的方法称为“原子发射光谱分析”。 ICP发射光谱分析过程主要分为三步,即激发、分光和检测. 1、利用等离子体激发光源(ICP)使试样蒸发汽化,离解或...
20px 0px 12px;font-size:18px;font-family:"color:#333333;background-color:#FFFFFF;">稀释扩散法原理:将有臭味地气体通过烟囱排至大气,或用无臭空气稀释,降低恶臭物质浓度以减少臭味。适用范围:适用于处理中、低浓度的有组织排放的恶臭气体。优点:费用低、设备简单。缺点:易受气象条件限制,恶臭物质依然存在...
Etching of Sapphire with I nductively Coupled Plasma of Cl 2/BCl 3 S ong Y ingping ,G uo X ia ,Ai Weiwei ,D ong Limin and Shen G uangdi 3 (Optoelectric lab ,Beijing Univer sity o f Technology ,Beijing ,100022,China ) Abstract A novel technique has been developed to etch ...
等离子体增强化学气相沉积系统是采用PECVD技术专业为介质膜镀膜设计的化学气相沉积设备。 等离子体增强化学气相沉积系统通过优化供气系统,改进了较小的反应堆体积,可显著提高工艺的均匀性和再现性,并减少泵送时间。 由于可以方便地访问所有内部组件,因此等离子体增强化学气相沉积系统的日常维护变得更加容易。特殊的底电极设计...