刻蚀过程中产生的离子能量较高,有利于实现深孔或高方面比结构的刻蚀。 由于其较高的工作气压,CCP刻蚀通常需要考虑等离子体的均匀性和刻蚀速率的平衡。 实际应用角度为: 刻蚀键能较大如oxide的物质,用CCP;刻蚀金属/多晶,ICP更好。 前道难点工艺,深硅槽刻fin这种,都还是要应用ICP。...
因此，ICP刻蚀被广泛应用于硅、二氧化硅、III-V族化合物、金属等多种材料的精细加工。另一方面，电容式等离子刻蚀（CCP）技术则是通过在电极上施加射频电压来产生等离子体。在这一过程中，电极与等离子体之间形成一个电容，电子在电场的作用下获得能量并引发气体分子的电离。与ICP刻蚀不同，CCP刻蚀通常在较高的压力下...
而CCP技术产生的等离子体能量较高,这在某些需要高能量刻蚀的应用中可能是有利的。 再者,ICP技术的可调节性优于CCP。通过调整ICP电源的功率、下电极射频源的功率以及气体流量等参数,可以精确控制刻蚀过程,满足不同材料和工艺的刻蚀...
icp和ccp并非说一定高低区分,但是icp适用金属 多晶(硅)的科蚀,ccp适用于耦合键能比较大的氧化物的科蚀。两者的人plasma的产生方式不同,导致温度,能量等不同。适用于不同的晶圆的层级。从目前信息看,的确中微在台积电逻辑制程这里做关键层(我指硅这一层)没有或者较少,在金属链接这一层可能有,在通孔这一层可能...
由于其较高的工作气压,CCP刻蚀通常需要考虑等离子体的均匀性和刻蚀速率的平衡。 实际应用角度为: 刻蚀键能较大如oxide的物质,用CCP;刻蚀金属/多晶,ICP更好。 前道难点工艺,深硅槽刻fin这种,都还是要应用ICP。后段互联层挖深孔刻lowk这种,还是要用到CCP。
然而,ICP干法刻蚀的设备复杂、成本高,且对材料表面的损伤相对较大。 三、CCP干法刻蚀原理 CCP干法刻蚀是利用电容耦合等离子体(CCP)产生的电子和正离子对材料表面进行刻蚀。具体过程如下: 1. 电容耦合等离子体(CCP)由射频电源产生,产生的高频电场将气体电离成等离子体,形成带电粒子。 2. 电子在高频电场的作用下被...
CCP放电原理: CCP放电是通过电容耦合的方式,将射频能量传递到等离子体中,从而产生放电。具体来说,当射频电源加到上下电极板上时,在电极板之间产生高频电场。气体分子在这个电场中被激发和电离,形成等离子体。与ICP放电不同,CCP放电中电子在高频电场中获得能量并撞击气体分子,使得气体分子被电离形成等离子体。这个过程是...
CCP和ICP都是常见的低温等离子体源哦。CCP,也就是射频容性耦合等离子体源,它通过射频功率源连接到平板电极,形成高压电场,进而加速电子碰撞气体分子激发放电。而ICP,即电感耦合等离子体源,它是通过射频线圈在反应器中产生交变磁场,再感应出交变电场,使背景气体电离产生等离子体。两者在工作原理和应用上都有一定的区别...
ICP与CCP在Coil/上电极于Chamber内的位置上有所不同，ICP的Coil位于Chamber外侧，而CCP的Coil置于Chamber顶部。ICP中还配备有法拉第屏蔽板，用于过滤掉Coil与等离子体之间的寄生电容耦合，保证Chamber内等离子体的纯度。综上所述，ICP与CCP在等离子体产生原理、结构特点、以及应用方面各有优势。ICP在更低压力...
CCP作为ICP的节点,起到了重要的作用。其主要功能包括以下几个方面: 1. 提供就近访问:CCP在不同的区域中部署,可以使用户就近访问网络内容,减少网络延迟,提高用户体验。 2. 分发和缓存内容:CCP可以将ICP提供的内容分发到不同的区域网络中,并将内容缓存在本地,减少对ICP的请求,提高访问效率。 3. 加速网络传输:CCP...