较CCP机台中电子的平均自由程更大，因此可以在更低的chamber压力下激发出plasma，因此ICP中plasma密度比CC...
因此采用ICP刻蚀相对于RIE控制精度高，选择比好，刻蚀均匀性好，且污染较少，刻蚀的垂直度和光洁度较高。
ICP与CCP在Coil/上电极于Chamber内的位置上有所不同，ICP的Coil位于Chamber外侧，而CCP的Coil置于Chamber顶部。ICP中还配备有法拉第屏蔽板，用于过滤掉Coil与等离子体之间的寄生电容耦合，保证Chamber内等离子体的纯度。综上所述，ICP与CCP在等离子体产生原理、结构特点、以及应用方面各有优势。ICP在更低压力...
从实际应用角度看，对于键能较大的氧化物材料的刻蚀，CCP更为适用；而对于金属或多晶材料的刻蚀，ICP则更为高效。在前道工艺中，如深硅槽刻fin这类复杂工艺，通常采用ICP设备；而后段互联层挖深孔刻lowk这类工艺，则倾向于使用CCP设备。在具体设备选型时，需要综合考虑所要刻蚀的材料层、现有的工艺基准...
CCP:在上下两个电极板上施加射频电压产生等离子体,上端电极与等离子体之间形成一个电容。电子在电场的作用下获得能量,进而引发气体分子的电离;离子受到电场的吸引,以高速冲向底部电极上承载的wafer,并与wafer表面发生物理和化学反应,完成etch的动作。 ICP:在漩涡状感应线圈上施加射频电流,以一定比例混合的气体经耦合辉光...
CCP:在上下两个电极板上施加射频电压产生等离子体,上端电极与等离子体之间形成一个电容。电子在电场的作用下获得能量,进而引发气体分子的电离;离子受到电场的吸引,以高速冲向底部电极上承载的wafer,并与wafer表面发生物理和化学反应,完成etch的动作。 ICP:在漩涡状感应线圈上施加射频电流,以一定比例混合的气体经耦合辉光...
CCP:在上下两个电极板上施加射频电压产生等离子体,上端电极与等离子体之间形成一个电容。电子在电场的作用下获得能量,进而引发气体分子的电离;离子受到电场的吸引,以高速冲向底部电极上承载的wafer,并与wafer表面发生物理和化学反应,完成etch的动作。 ICP:在漩涡状感应线圈上施加射频电流,以一定比例混合的气体经耦合辉光...
难度更大。ccp属于中密度等离子体、icp则属于高密度等离子体、CCP和 ICP技术泛林半导体占有50%的市场份额、CCP来说也不是那么熟悉，从技术难度来说CCP难度更大，对于垂直型和选择性要求更高。
请问半导体刻蚀中ICP和CCP的区别、优劣以及应用场景是什么? 发布于 2024-02-25 06:57・IP 属地广东 赞同 分享 收藏 写下你的评论... 登录知乎,您可以享受以下权益: 更懂你的优质内容 更专业的大咖答主 更深度的互动交流 更高效的创作环境 ...