实际应用角度：刻蚀键能较大如oxide的物质，用CCP；刻蚀金属/多晶，ICP更好。前道难点工艺，深硅槽刻f...
从实际应用角度看，对于键能较大的氧化物材料的刻蚀，CCP更为适用；而对于金属或多晶材料的刻蚀，ICP则更为高效。在前道工艺中，如深硅槽刻fin这类复杂工艺，通常采用ICP设备；而后段互联层挖深孔刻lowk这类工艺，则倾向于使用CCP设备。在具体设备选型时，需要综合考虑所要刻蚀的材料层、现有的工艺基准...
因此ICP中plasma密度比CCP plasma密度高约10~20倍，也因此ICP中plasma U%不如CCP。
ICP:1)刻蚀速率快、选择比高、损伤小;2)均匀性没有ccp好;3)污染或者damage小于ccp。 市场情况如何? 基本一半一半。 2023年全球CCP刻蚀设备市场约104亿美元,ICP刻蚀设备市场约99亿美元; 2023年中国刻蚀设备市场约390亿元,CCP和ICP基本平分。 玩家情况如何? 外资三大家:Lam基本覆盖很全,Si刻蚀、介质刻蚀和金属刻蚀...
ICP: 1)刻蚀速率快、选择比高、损伤小; 2)均匀性没有ccp好; 3)污染或者damage小于ccp。 市场情况如何? 基本一半一半。 2023年全球CCP刻蚀设备市场约104亿美元,ICP刻蚀设备市场约99亿美元; 2023年中国刻蚀设备市场约390亿元,CCP和ICP基本平分。 玩家情况如何?
半导体Etch CCP和ICP刻蚀设备有哪些区别? 小萍子 07-24 +关注 在半导体干法刻蚀中,主要有两种设备:电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma,CCP)刻蚀、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma,ICP) 两者原理有什么不同? CCP:在上下两个电极板上施加射频电压产生等离子体,上端电极与等离子体之间形成一个...
CCP: 1)有较高的碰撞压力及频率,需要考虑等离子体的均匀性和刻蚀速率的平衡。 2)上电极容易被离子破坏,造成damage或产生partical; 3)均匀性更佳。 ICP: 1)刻蚀速率快、选择比高、损伤小; 2)均匀性没有ccp好; 3)污染或者damage小于ccp。 市场情况如何?
刻蚀速度更快：因为CCP刻蚀系统能够产生高密度的等离子体，RF（射频）电源产生的电场可以加速离子，使它们...
Si的选择性差。CCP 主要用于SiO2, Si3N4 和ACL 等蚀刻。ICP 主要用于 poly Si, TiN, W 等。