等离子密度差异导致ICP相对适合高速刻蚀，CCP相反；等离子能量差异导致ICP相对适合低损刻蚀，CCP相反；以材料...
较CCP机台中电子的平均自由程更大，因此可以在更低的chamber压力下激发出plasma，因此ICP中plasma密度比CC...
3)均匀性更佳。 ICP: 1)刻蚀速率快、选择比高、损伤小; 2)均匀性没有ccp好; 3)污染或者damage小于ccp。 市场情况如何? 基本一半一半。 2023年全球CCP刻蚀设备市场约104亿美元,ICP刻蚀设备市场约99亿美元; 2023年中国刻蚀设备市场约390亿元,CCP和ICP基本平分。 玩家情况如何? 外资三大家:Lam基本覆盖很全,Si刻...
从实际应用角度看，对于键能较大的氧化物材料的刻蚀，CCP更为适用；而对于金属或多晶材料的刻蚀，ICP则更为高效。在前道工艺中，如深硅槽刻fin这类复杂工艺，通常采用ICP设备；而后段互联层挖深孔刻lowk这类工艺，则倾向于使用CCP设备。在具体设备选型时，需要综合考虑所要刻蚀的材料层、现有的工艺基准...
ICP:1)刻蚀速率快、选择比高、损伤小;2)均匀性没有ccp好;3)污染或者damage小于ccp。 市场情况如何? 基本一半一半。 2023年全球CCP刻蚀设备市场约104亿美元,ICP刻蚀设备市场约99亿美元; 2023年中国刻蚀设备市场约390亿元,CCP和ICP基本平分。 玩家情况如何?
CCP:1)有较高的碰撞压力及频率,需要考虑等离子体的均匀性和刻蚀速率的平衡。2)上电极容易被离子破坏,造成damage或产生partical;3)均匀性更佳。 ICP:1)刻蚀速率快、选择比高、损伤小;2)均匀性没有ccp好;3)污染或者damage小于ccp。 市场情况如何? 基本一半一半。
ICP刻蚀技术具有刻蚀速率快、选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好、刻蚀断面轮廓可控性高和...
刻蚀精度高：在CCP刻蚀过程中，由于射频电场的存在，离子的轰击方向性较好，这意味着离子主要是垂直于待...
Plasma中离子鞘层产生原理以及鞘层内离子行为；②CCP的上下电极比大于ICP，因此CCP可以获得比ICP更高的...