在CCP刻蚀过程中,电子在电场的作用下获得能量,进而引发气体分子的电离。CCP刻蚀通常在较高的压力下进行,适用于氧化物、氮化物等绝缘材料的刻蚀。 CCP刻蚀的特点包括: 适用于刻蚀绝缘材料,如氧化硅、氮化硅等。 刻蚀过程中产生的离子能量较高,有利于实现深孔或高方面比结构的刻蚀。 由...
ICP和CCP干法刻蚀的主要区别在于产生等离子体的方式和刻蚀效果。 1. 产生等离子体的方式:ICP利用感应耦合产生等离子体,而CCP利用电容耦合产生等离子体。 2. 刻蚀效果:ICP干法刻蚀具有较好的刻蚀均匀性和精度,但对材料表面的损伤相对较大;CCP干法刻蚀设备简化、成本更低,对材料表面的损伤较小,但刻蚀速率较慢且不均匀。
实际应用角度：刻蚀键能较大如oxide的物质，用CCP；刻蚀金属/多晶，ICP更好。前道难点工艺，深硅槽刻f...
从实际应用角度看，对于键能较大的氧化物材料的刻蚀，CCP更为适用；而对于金属或多晶材料的刻蚀，ICP则更为高效。在前道工艺中，如深硅槽刻fin这类复杂工艺，通常采用ICP设备；而后段互联层挖深孔刻lowk这类工艺，则倾向于使用CCP设备。在具体设备选型时，需要综合考虑所要刻蚀的材料层、现有的工艺基准...
电场主要控制plasma密度，低频（800KHZ~2MHz）电场主要控制离子轰击能量，多频CCP也是当前主流CCP刻蚀设备...
ICP (Inductively Coupled Plasma)是一种高功率高密度等离子体刻蚀技术,适用于导体材料的刻蚀。该技术利用高频电场激发气体放电产生等离子体,在网络状电极中加入高频电源,产生高密度等离子体,能够快速刻蚀导电材料。 CCP (Capacitively Coupled Plasma)是一种低功率低密度等离子体刻蚀技术,适用于介质材料的刻蚀。该技术利用...
ICP相比CCP是很容易做的,你如果有机会问一下LAM或者TEL的工程师,哪些工艺最难,得到的回答一定不是ICP。 台积电中微做的事情不能说是非关键,而是中微有机会给台积电供货说明设备已经得到全球最严苛产线的验证并核准。并不是说中微的刻蚀离关键工艺还有多远。如果说难度的话,logic里面中后道的双大马士革铜互联工艺比...
和CCP不同,ICP 有一个线圈和一个电极。交流电流流过线圈产生诱导磁场->诱导磁场产生诱导电场->电子在诱导电场中加速产生等离子体。离子化率高,但是plasma 均一性差。 CCP 和 ICP 比较 CCP 有RIE (Reactive Ion Etching) 和PE (Plasma Enhanced, Sputter Depostion) 两种模式。
型号 ccp刻蚀设备与ICPJL-VM200 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活...