对于刻蚀键能较大的物质，如氧化物，CCP刻蚀表现更佳。而在刻蚀金属或多晶材料时，ICP刻蚀可能更为合适。在前道工艺中，如深硅槽刻fin等难点工艺，仍需依赖ICP刻蚀技术。后段互联层中挖深孔刻lowk等工艺，则更适合采用CCP刻蚀。设备选型建议：综合考虑实际刻蚀的layer材料、现有工艺benchmark、成本以及产能需求，来...
在CCP刻蚀过程中,电子在电场的作用下获得能量,进而引发气体分子的电离。CCP刻蚀通常在较高的压力下进行,适用于氧化物、氮化物等绝缘材料的刻蚀。 CCP刻蚀的特点包括: 适用于刻蚀绝缘材料,如氧化硅、氮化硅等。 刻蚀过程中产生的离子能量较高,有利于实现深孔或高方面比结构的刻蚀。 由...
ICP和CCP干法刻蚀的主要区别在于产生等离子体的方式和刻蚀效果。 1. 产生等离子体的方式:ICP利用感应耦合产生等离子体,而CCP利用电容耦合产生等离子体。 2. 刻蚀效果:ICP干法刻蚀具有较好的刻蚀均匀性和精度,但对材料表面的损伤相对较大;CCP干法刻蚀设备简化、成本更低,对材料表面的损伤较小,但刻蚀速率较慢且不均匀。
ICP刻蚀和CCP刻蚀的原理确实有所不同哦。ICP,也就是感应耦合等离子体刻蚀,它是通过高频电源产生高频电场,然后利用电感耦合把能量传给气体,让气体电离成等离子体。这些带电粒子在电场加速后,会撞到材料表面,从而实现刻蚀。而CCP,即电容耦合等离子体刻蚀,是在电极上加射频电压来产生等离子体,电子在电场作用下获能,引发...
等离子密度差异导致ICP相对适合高速刻蚀，CCP相反；等离子能量差异导致ICP相对适合低损刻蚀，CCP相反；以材料...
1、刻蚀偏差 使用化学刻蚀的湿法刻蚀是各向同性刻蚀，在实际刻蚀中光刻胶下面会有刻蚀液的渗入，会造成...
ICP (Inductive Coupled Plasma)与CCP (Capacitive Coupled Plasma)在半导体刻蚀中应用的区别与优劣是关键因素。从字面意义上理解，ICP涉及电感耦合，而CCP涉及电容式耦合。ICP设备在历史发展上相对年轻，其设备在上世纪90年代后开始出现，相较于CCP，ICP在设备构造上具有明显优势。ICP设备能够在水平和垂直方向...
ICP相比CCP是很容易做的,你如果有机会问一下LAM或者TEL的工程师,哪些工艺最难,得到的回答一定不是ICP。 台积电中微做的事情不能说是非关键,而是中微有机会给台积电供货说明设备已经得到全球最严苛产线的验证并核准。并不是说中微的刻蚀离关键工艺还有多远。如果说难度的话,logic里面中后道的双大马士革铜互联工艺比...
1.中微刻蚀以ccp为主,icp在储备发力阶段。 2.需要拿到刻蚀设备在各节点制程里的能拿下的工艺分布情况。