相比较于CCP，ICP的离子密度和离子能量可以独立控制（SRF控制离子密度，BRF控制离子能量），即ICP拥有更宽...
ICP (Inductive Coupled Plasma)与CCP (Capacitive Coupled Plasma)在半导体刻蚀中应用的区别与优劣是关键因素。从字面意义上理解，ICP涉及电感耦合，而CCP涉及电容式耦合。ICP设备在历史发展上相对年轻，其设备在上世纪90年代后开始出现，相较于CCP，ICP在设备构造上具有明显优势。ICP设备能够在水平和垂直方向...
CCP全称是Capacitively Coupled Plasma，即电容耦合等离子。是一种广泛用于芯片制造刻蚀的工艺，能够以极高...
ICP放量太快了,追上CCP了,尹总吹过牛批,都能兑现!$中微公司(SH688012)$A股开户|雪球基金|投资者教育|风险提示 风险提示:雪球里任何用户或者嘉宾的发言,都有其特定立场,投资决策需要建立在独立思考之上 其他建议反馈欢迎点击 #我给雪球提建议# 如受到欺诈信息骚扰请至 #防诈骗举报专区# 互联网违法和不良信息投...
请问半导体刻蚀中ICP和CCP的区别、优劣以及应用场景是什么? 发布于 2024-02-25 06:57・IP 属地广东 赞同 分享 收藏 写下你的评论... 登录知乎,您可以享受以下权益: 更懂你的优质内容 更专业的大咖答主 更深度的互动交流 更高效的创作环境 ...
在介绍ICP、CCP相关内容之前，先对耦合概念进行解释。耦合：在物理学中，指两个或两个以上的体系或运动...
ICP是物理过程和化学过程共同作用的结果，在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以...
等离子密度差异导致ICP相对适合高速刻蚀，CCP相反；等离子能量差异导致ICP相对适合低损刻蚀，CCP相反；以材料...
ICPinductive coupled plasma CCP capacitive coupled plasma 字面意义上来讲，一个是电感耦合，一个电容式...