We’ve done an analysis on Micron 176L CTF CuA 3D NAND chips which was the world’s first 176L 3D NAND Flash memory device removed from Micron 3400 1TB PCIe Gen4 NVMe 1.4 cSSD. Now, other leading 3D NAND players such as Samsung, SK hynix, KIOIXA, and Western Digita...
3、颗粒虽然采用了SK Hynix 4D V7 176Layer颗粒,但并未在Platinum P41 2T上发挥出较高的水准;同时笔者认为此次海力士Platinum P41采用的4D V7 176Layer颗粒写入性能跟三星的980 Pro采用的3D V6 136Layer颗粒并没有拉开较大的差距;4、实际测试过程中Platinum P41 2T主控以及颗粒发热较高,性能释放较为激进,日常使...
笔者查询相关资料后得知P41 OEM盘PC801 1T的TLC 颗粒直写速度也在2200MB/s左右,故在此对Platinum P41 2T的颗粒用料做个判断:Wafer采用了512Gb/Die的4D V7 176Layer的颗粒,共计32Die,其中每一个Die接驳一个CE,共计32CE,吃满了Platinum P41主控ARIES白羊座32CE的带宽。 (7) 测试过程中记录到的部分温度 由于...
两颗NAND正好32Die接驳32CE,正好塞满Aries的32CE上线,准确来说SK Hynix Platinum P41 2TB是这个系列的满血版本。 ▲这颗176L的Die是有型号的,SK Hynix内部编号为H25HTC0,参数如上图所示。 SK Hynix 的176L以11.01GB/mm2的存储密度一骑绝尘,高于Samsung 176L的10.87GB/mm2以及Micron 176L的10.27GB/mm2。 3、...
Samsung will keep the 2-deck structure even for the 238L, which is one of Samsung’s strengths in 3D NAND technology. The 162L BiCS6 3D NAND will be the 1stproduct with the CuA concept from KIOXIA/WD. Table 1. A comparison of upcoming new 3D TLC NAND chips; Samsung 176L and 238...