如图将metal gate上面增加一层SIN和OX,即使S/D contact overlay,由于存在SIN介质层,也不会造成短路,提高了misalignment margin。 如果没有SAC flow,Intle 22nm制程中contact misalignment margin只有+-5nm,10nm左右的misalignment就会造成20%左右的yield loss,但是增加了SAC flow以后,gate 到 contact的shift margin可以...
今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
到此,22nm FinFET工艺核心的前中段工艺介绍完毕,FinFET工艺较之前的平面MOS管工艺更复杂,每一步都有可能造成yield loss。接下来有时间再给大家介绍22nm planarprocess flow(平面结构最后一个节点)。
到此,22nm FinFET工艺核心的前中段工艺介绍完毕,FinFET工艺较之前的平面MOS管工艺更复杂,每一步都有可能造成yield loss。接下来有时间再给大家介绍22nm planarprocess flow(平面结构最后一个节点)。
最近有点时间,根据网上的资料。来梳理下22nm Finfet process 介绍,总体来说,Finfet的结构类似,14nm同理。 1.一般选择<100>重掺杂的P+,0.01Ω-cm 的Si衬底。进产线前一般都会长大概~1um的外延层(EPI WAFER). 2.用piranha+HF+SC1+SC2,清除wafer表面,去除有机物,particle及金属离子,native oxide。
22 nm FinFET(7)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (7) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(7) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231129发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍(中) 上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使fin的表面形成一层Extension Implant区域。 21. PMOS Extension Implant...
w 22nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍(中) 上篇主要介绍了 Fin 的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上 PR 和 BARC,然后进行 litho 和 etch,使 NMOS 区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使 fin 的表面形成一层 Extension Implant 区域。
22nm FinFET (4)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (4) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(4) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231111发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
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