Gate first和Gate last使HKMG实现工艺的的两种流派,如下图示意所示: gate last的栅极甚至部分栅介电层避开了高温步骤,所以材料选择非常宽松,可以考虑高性能的材料。 而且gate last的HKMG不影响其他生产步骤,所以就性能而言,gate last将很理想。 当然其代价也是很大的,步骤多而严苛,所以其成本将会较高。 gate first从...
Cut first和Cut last两种流派的存在,Cut first在fin etch时容易出现fin的Iso/Dense loading,现在多采取Cut last方案。 Fin Cut可以根据其pattern的密集度,分为两步,防止太大的loading效应。-26-Fin coarse Cut,-27-Fin fine cut(精致切割),经过两次Cut,得到密度不同的Fin。22nm gate last flow Cut放在了OX fi...
今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍(中) 上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使fin的表面形成一层Extension Implant区域。 21. PMOS Extension Implant 同理在PMOS区域进行硼离子注入。 22. Extension...
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曝光,Amorphous Carbon作为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well区域都留下Amorphous Silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gate,后面会remove,在填充High-K介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummy gate去掉。 19. Offset Spacer Deposition ...
曝光,Amorphous Carbon作为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well区域都留下Amorphous Silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gate,后面会remove,在填充High-K介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummy gate去掉。 19. Offset Spacer Deposition ...
w 22nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍(中) 上篇主要介绍了 Fin 的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上 PR 和 BARC,然后进行 litho 和 etch,使 NMOS 区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使 fin 的表面形成一层 Extension Implant 区域。
When forming field effect transistors according to the gate-first HKMG approach, the cap layer formed on top of the gate electrode had to be removed before the silicidation step, resulting in formation of a metal silicide layer on the surface of the gate electrode and of the source and ...
The meaning of FLAP GATE is a gate hinged at the top and opening one way only and placed in a channel to close automatically on reversal of flow.