今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
相比planar,FinFET晶体管具有更小的漏电流,和很低的gate delay: FinFET结构很关键的几个参数:Fin width/Height/Pitch FinFET/Planar工艺对比表: 22nm Gate Last Process Flow: Fin loop: 主要包括Line pattern, Fin etch, Fin Cut1, Fin Cut2, SDB, Fin CMP. 定义Fin的图形和基本结构。 -1- Wafer-start...
22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍.pdf 文件大小:16.73 MB 下载次数:36 附件售价:1RD币 22nm...
w 22nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍(中) 上篇主要介绍了 Fin 的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上 PR 和 BARC,然后进行 litho 和 etch,使 NMOS 区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使 fin 的表面形成一层 Extension Implant 区域。
上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使fin的表面形成一层Extension Implant区域。 21. PMOS Extension Implant 同理在PMOS区域进行硼离子注入。
曝光,Amorphous Carbon作为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well区域都留下Amorphous Silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gate,后面会remove,在填充High-K介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummy gate去掉。 19. Offset Spacer Deposition ...
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nmprocess flow。1.Pad Oxide Growth首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当后面SiN和底层硅表面之间...
曝光,Amorphous Carbon作为Hard Mask一直向下etch,P/N-Well区域都留下Amorphous Silicon的形状做为gate,实际上这是dummy gate,后面会remove,在填充High-K介质和金属gate。 18. 2nd Gate Electrode Patterning 这一步主要是把右边多余的dummy gate去掉。 19. Offset Spacer Deposition ...
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 Pad Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当后面SiN和底层硅表面之...
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