Imp工艺在FinFET中和平面型flow有较大差异,平面型Imp的入射角度为90º垂直注入: 由于FinFET器件中的沟道垂直于硅表面,入射角度需要植入顶部和两侧的Fin,通常在一个steep angle。如图所示: 以如此大的角度进行imp的问题是,很大一部分掺杂剂没有保留在fin上,而是被反弹掉了。imp角度与残留在侧壁的掺杂剂之间的关系...
今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
SiGe在国内28nm工艺中广泛应用,SiC多用于14nm finfet工艺。其SiGe epi薄膜设备为美系卡脖子设备之一,北方华创epi设备在2023年有所突破。 PMOS加入SiGe, Ge晶格常数比Si大4%,对其有挤压作用,可以提高晶体管驱动电流。 NMOS:C相比Si更小,在源漏替代SiC可以给沟道张力,有利于提高电子迁移率。 在90nm以下,NMOS器件的...
NMOS区域进行Hard mask etch,然后用HF去除Fin上面的Oxide。 30. #1 Epitaxial Si Growth Hard Mask Strip 然后在Fin上外延生长一层Si,也就是只会在NMOS的Source/Drain上形成,接着把多余的SiCN Hard mask 移除。 31. #2 NMOS Fin Removal & SiC Epitaxial Deposition 将NMOS Fin全部移除,然后在Source/Drain区域...
接下来是Fin的形成,宽度大概10nm,普通的光刻工艺无法形成这么小的线宽,这里用的是SADP工艺,通过sidewall space 作为etch HM形成Fin,当然现在最先进的EUV光刻机可以直接形成。 先是通过CVD工艺形成一层Silicon Ntride,上面再沉积一层Amorphous Carbon 作为牺牲层,又称为Mandrel。
上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使fin的表面形成一层Extension Implant区域。 21. PMOS Extension Implant 同理在PMOS区域进行硼离子注入。
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 Pad Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当后面SiN和底层硅表面之...
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 Pad Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,然后再生长一层Pad Oxide。此氧化层充当后面SiN和底层硅表面之...
w 22nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍(中) 上篇主要介绍了 Fin 的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上 PR 和 BARC,然后进行 litho 和 etch,使 NMOS 区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使 fin 的表面形成一层 Extension Implant 区域。
set Domain @Domain@ #Domain 分为TN(TypeNFinFet) TP(TypePNFinFet) if "@Layout@" == "gds" #如果Layout参数为gds rem # Loading of the "GDSII Layout" file. #加载GDS文件 if { Domain sim3d= "100.50 0.00 125.50 65.00" } elseif { ...