今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
-5-Gate Etch,早先沉积在fin上的OX作为etch的stop layer 主要刻蚀要求:• CDU(3-sigma) • Loading control • Profile control 在etch中遇到的常见issue:•CD uniformity • Profile control • LWR control • Defect control: Particle, residue etc Fin damage和Poly Residue 是较难解决的问题。 ...
来梳理下22nm Finfet process 介绍,总体来说,Finfet的结构类似,14nm同理。 1.一般选择<100>重掺杂的P+,0.01Ω-cm 的Si衬底。进产线前一般都会长大概~1um的外延层(EPI WAFER). 2.用piranha+HF+SC1+SC2,清除wafer表面,去除有机物,particle及金属离子,native oxide。 3.用炉管生长大约50A 的pad ox。(~...
然后deposit一层厚厚的PSG(Phospho-Silicate Glass),这一层的作用是充当PMD(Pre-Metal-Dielectric),然后用CPM抛光,dummy gate上面的Nitride spacers将被磨掉,露出里面的amorphous silicon。 38. Polysiliocn Gate Removal 然后通过etch将dummy gate里的amorphous silicon移除,etch会停留在Fin上面的Oxide ESL。 39. Oxid...
22nm FinFET (4)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (4) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(4) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231111发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
16.73 MB 下载次数:36 附件售价:1RD币 22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍 本地下载立即购买 ...
有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 2023-11-28 10:45:51 锐成芯微宣布在22nm工艺上推出双模蓝牙射频IP 2023年1月13日,知名物理IP提供商 锐成芯微(Actt) 宣布在22nm工艺上推出双模蓝牙射频IP。近年来,随着...
22nm平面工艺流程介绍 今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process flow 进行对比学习。 言归正传,接下来介绍平面工艺最后一个节点22nm process flow。 2023-11-28 10:45:51 锐成芯微宣布在22nm工艺上推出双模蓝牙射频IP 2023年1月13日,知名物理IP...
22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍来源:半导体设备资讯站 发布时间:2023-03-26 分享至微信1. ScreenOxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度大概1um,然后再生长一层Screen Oxide。2. N-Well and P-Well Definiton 定义N-Well和P-Well,左边区域进行硼离子注入,形成P-Well,右边区域进行磷...