今天分享网上流传很广的22nm FinFET process flow. 严格来说工艺节点进入20nm以下才会用到FinFET工艺(下期会继续分享22nm Planar process flow),但以I公司为代表的在22nm工艺节点就用到此工艺。像T和S公司都是在16nm/14nm才用到FinFET工艺。 1. Screen Oxide Growth 首先是P型衬底上面有一层外延生长的Si,厚度...
-26-Fin coarse Cut,-27-Fin fine cut(精致切割),经过两次Cut,得到密度不同的Fin。22nm gate last flow Cut放在了OX filing以后。 -28-SDB:在Fin Cut之后,通常还会有一步SDB工艺,Single Diffusion break工艺,其沿着栅极方向切断扩散区的Fin,形成浅沟槽隔离,使Fin再次被分割,可以得到集成度更高的半导体器件。...
NMOS区域进行Hard mask etch,然后用HF去除Fin上面的Oxide。 30. #1 Epitaxial Si Growth Hard Mask Strip 然后在Fin上外延生长一层Si,也就是只会在NMOS的Source/Drain上形成,接着把多余的SiCN Hard mask 移除。 31. #2 NMOS Fin Removal & SiC Epitaxial Deposition 将NMOS Fin全部移除,然后在Source/Drain区域...
NMOS区域进行Hard mask etch,然后用HF去除Fin上面的Oxide。 30. #1 Epitaxial Si Growth Hard Mask Strip 然后在Fin上外延生长一层Si,也就是只会在NMOS的Source/Drain上形成,接着把多余的SiCN Hard mask 移除。 31. #2 NMOS Fin Removal & SiC Epitaxial Deposition 将NMOS Fin全部移除,然后在Source/Drain区域...
上篇主要介绍了Fin的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上PR和BARC,然后进行litho和etch,使NMOS区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使fin的表面形成一层Extension Implant区域。 21. PMOS Extension Implant 同理在PMOS区域进行硼离子注入。
最近有点时间,根据网上的资料。来梳理下22nm Finfet process 介绍,总体来说,Finfet的结构类似,14nm同理。 1.一般选择<100>重掺杂的P+,0.01Ω-cm 的Si衬底。进产线前一般都会长大概~1um的外延层(EPI WAFER). 2.用piranha+HF+SC1+SC2,清除wafer表面,去除有机物,particle及金属离子,native oxide。
w 22nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍(中) 上篇主要介绍了 Fin 的形成,接下来继续讲解。 20. NMOS Extension Implant 铺上 PR 和 BARC,然后进行 litho 和 etch,使 NMOS 区域暴漏出来,再进行砷离子注入,使 fin 的表面形成一层 Extension Implant 区域。
22nm FinFET (4)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (4) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(4) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231111发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
22 nm FinFET(7)22 nm Gate Last FinFET Process Flow 介绍 (7) 22nm后栅FinFET工艺流程(湿法版)(7) #半导体FinFET#鳍式晶体管 #22纳米 14纳米 7纳米 3纳米# - 淡然2018于20231129发布在抖音,已经收获了3个喜欢,来抖音,记录美好生活!
文件大小:16.73 MB 下载次数:36 附件售价:1RD币 22nm Gate Last FinFET Process Flow介绍 本地下载...