用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底,散热性能...
凭借GaN材料的能带特性，自供电GaN基紫外光电探测器截止波长可达到365 nm，且无需加装滤光片，体现出远超Si的紫外探测潜能；同时，GaN出色的热导率（2.2 W·cm–1·K–1）使器件拥有优良的散热性能；此外，自供电GaN基紫外光电探测器，可在无外加电源下运作，具有更小的尺寸、更低的功耗[6]，极大降低了运行...
近日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。期间，“氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术”分会上，中国科学院半导体研究所副研究员、中科重仪半导体联合创始人姚威振做了”GaN基光电材料外延与MOCVD反应腔结构关联性研究“的主题报告，分享了MOCVD反应器结构...
GaN 基材料一般是指氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氮化铟(InN)以及其多元化合物(如 AIGaN、InGaN、AIInN、AlInGaN)。相较于第一代半导体 Si、Ge与第二代半导体 GaAs、InP,GaN 基材料因其具有禁带宽度大、直接带隙、强极化效应(Polarization)、电子饱和迁移速度大等特点,在光电、电力电子以及微波射频领域有着广泛的...
半导体氮化镓材料主要适用于以下领域：新型电子器件：GaN材料因其低热产生率和高击穿电场，非常适合用于研发高性能器件。采用GaN材料的新型电子器件具有高电子迁移率、高速饱和速度和低介电常数，非常适合微波器件的设计。这类器件散热性能良好，易于在大功率条件下工作，如金属场效应晶体管、异质结场效应晶体管...
氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料,具有优良的电学和光学性质,因此被广泛应用于以下领域: 发光二极管(LED):氮化镓是LED的主要材料之一,可用于制造蓝、绿、白光LED,广泛应用于照明、显示等领域。 激光器:氮化镓可制成激光器器件,用于通信、材料加工等领域。
氮化镓（GaN）原本就是被作为蓝光LED和新一代DVD用半导体激光器的材料而推进研究的。经过研发，采用GaN的高亮度蓝光LED、绿色LED和蓝光光盘用蓝紫色半导体激光器接连实现了产品化，并走向普及。基于GaN的出色特性，继发光元件之后研究人员又考虑将其用于高频元件，于是开始开发用于手机基站和雷达等的高频晶体管，也实现了...
GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。 2、GaN 器件逐步步入成熟阶段 氮化镓技术可以追溯到 1970 年代,美国无线电公司(RCA)开发了一种氮化镓工艺来制造 LED。自上世纪90年代开始,...
半导体氮化镓（GaN）材料因其卓越的特性，在多个领域得到了广泛的应用。以下是GaN材料主要适用的领域详解：1. 新型电子器件 GaN材料由于其低热产生率和高击穿电场，非常适合用于开发高性能电子器件。通过采用先进技术，如金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管（HFET）和调制掺杂场效应晶体管（MODFET...