GAN的化学式为GaN,是一种具有高熔点、高硬度和高热导率的半导体材料。恒压热容是在恒定压力下,单位质量的物质温度升高1K所吸收的热量。GAN恒压热容的数值约为10.5 J/(mol·K),这意味着在恒定压力下,每升高1K,单位质量的GAN材料将吸收10.5焦耳的...
GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。 技术参数: 制作方法:HVPE(氢化物气象外延法)传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0....
GaN是新型半导体材料,该晶体的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞(图1)内部的碳原子被N原子替代,顶点和面心的碳原子被Ga原子替代,晶胞参数为anm,沿z轴从上往下俯视的晶胞投影图如图2所示,设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是 A. 若图2中原子1的分数坐标是则原子4的分数坐标是 B. N的配位数为6 C. 晶胞...
氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化镓单晶基板。 技术参数: 常规尺寸dia50.8±1mm x 4um,10-25um.dia100±1mm x 4um,10-25um. <0001>±1° N型 ...
1.材料特性参数1.1AlGaN-GaN异质结能带结构AlGaN-GaN异质结是由两个宽能带隙材料AlGaN和GaN构成的,具有自整流的特性,因此其能带结构对器件性能具有重要影响。研究表明,当AlGaN组分增加时,其带隙宽度减小,这样就会增加载流子密度和迁移率,同时减小容积深度。其导带电荷密度比同纯GaN异质结高出一半,因此AlGaN组分的改变会...
参数:<0001> miscut: 0.3 deg +/- 0.1 deg toward M plane,单抛 产品尺寸: dia 4inch +/- 0.25mm 标准包装: 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒 Al2O3镀GaN薄膜由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供,如您想了解更多关于Al2O3镀GaN薄膜报价、参数等信息 ,欢迎来电或留言咨询。
一、GAN恒压热容的基本概念 GAN的化学式为GaN,是一种具有高熔点、高硬度和高热导率的半导体材料。恒压热容是在恒定压力下,单位质量的物质温度升高1K所吸收的热量。GAN恒压热容的数值约为10.5 J/(mol·K),这意味着在恒定压力下,每升高1K,单位质量的GAN材料将吸收10.5焦耳的热量。 二、GAN恒压热容的意义 恒...
非极性氮化镓(GaN)晶体基片 产品简介: 技术参数: 晶体定位面:A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°.传导类型:N型;半绝缘型电阻率:R<0.5 Ω.cm;R>106Ω.cm表面粗糙度:<0.5nm位错密度:<5x106Ω.cm可用表面积:>90%TTV:≤15um; 产品规格: 常规尺寸:10x5x0.5mm; 厚度公差:+/-0.05mm; ...
产品名称: GaN靶材 产品简介: 常规参数: 常规尺寸:dia15x3.0mm ; 常规纯度:>4N;标准包装: 1000级超净室100级超净袋包装GaN靶由合肥科晶材料技术有限公司 为您提供,如您想了解更多关于GaN靶报价、参数等信息 ,欢迎来电或留言咨询。注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可...