氮化镓（GaN）可以根据其衬底材料的不同进行划分，具体包括硅基氮化镓（Si-based GaN）、碳化硅基氮化镓（SiC-based GaN）、蓝宝石基氮化镓（Sapphire-based GaN）以及氧化锌基氮化镓（ZnO-based GaN）。在目前的应用中，GaN主要以硅基和碳化硅基两类为主。前者常被用于制造
基于GaN材料，金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管（HFET）以及调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等创新器件相继问世。其中，调制掺杂的AlGaN/GaN结构凭借其高电子迁移率（2000cm2/v·s）、高饱和速度（1×107cm/s）以及低介电常数，成为微波器件制作的优选材料。同时，GaN材料3.4eV的宽襟带宽度，结合蓝...
氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）以其出色的低导通电阻和高开关速度，在低电压和高频率应用中大放异彩。然而，在高压环境下，单一GaN器件的性能显得捉襟见肘。为此，通过与硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的融合，我们可以实现性能的互补。以Cambridge GaN Devices的“ICeGaN”模块为例，它巧妙地将GaN HEMT与硅IGBT...
基于GaN材料，金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管（HFET）以及调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件相继问世。其中，调制掺杂的AlGaN/GaN结构凭借其高电子迁移率、高饱和速度以及低介电常数，成为微波器件制作的优选材料。此外，GaN的宽禁带宽度（3.4eV）结合蓝宝石等材料的优异散热性能，使得器件在恶...
GaN 材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是继第一代 Ge、Si、Se 元素半导体材料、第二代GaAs 等化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。请回答下列问题:(1)Ga基态原子的价电子排布式为0(2) C、N、 Si第一电离能的大小顺序为o(3)通常以三甲基镓 (CH3),Ga作为镓源,NH1作为氮源,在一定条件...
接下来，我们探讨碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）这两种新型半导体材料在半导体领域的应用选择。SiC材料因其独特的物理性质，常被应用于高功率、高电压的场合，如电动汽车逆变器和大功率电网转换器等。GaN材料则以其出色的高频特性，在高频、效率驱动的应用中表现出色，如电源、5G基站和射频电子器件等。其快速的开关速度...
GaN基新型光电器件以及HEMT功率器件,在制备过程中常会遇到剥离以及热管理等问题,而二维材料石墨烯、金刚石、氮化硼等异质外延可以极大的缓解热失配问题以及并且轻松实现GaN材料的转移。 传统的GaN异质外延主要在蓝宝石衬底、Si衬底或者SiC衬底,在剥离的过程中,如蓝宝石就特别困难,会产生较大的材料损耗和额外成本,且剥离...
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,GaN属于第三代半导体材料。(1)GaN、GaP、GaAs都是良好的半导体材料,晶体结构相似。熔点分别为:1700℃(GaN)、1480℃(GaP)、1238℃(GaAs),其熔点变化的原因为___。(2)GaN的晶胞结构如图所示,每个Ga原子周围距离...
GaN材料在半导体领域的研究与应用正日益受到广泛的关注。作为微电子器件与光电子器件研制的优选材料，GaN被誉为第三代半导体材料。其独特的性质，包括宽直接带隙、强原子键、高热导率、出色的化学稳定性以及强大的抗辐照能力，使得GaN材料在光电子、高温大功率器件以及高频微波器件等多个应用领域展现出广阔的发展前景。