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GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。3....
GaN氮化镓单晶衬底直接带隙半导体材料货源充足用于射频器件等 xh93653894 10000 合肥单晶材料科技 GN0001 2023011 ￥1.0000元10~-- 片 合肥单晶材料科技有限公司 3年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 GaN氮化镓衬底基片III-V族二元化合物材料源头工厂用于激光二极 HFDJ-1002 10000 合肥单晶材料科技 100...
GaN,全称氮化镓(Gallium Nitride),是一种化合物半导体材料。GaN在晶体中的比例为1:1,即每个镓原子都与一个氮原子形成化学键。GaN具有广泛的应用领域,特别是在光电子和功率电子设备中。 以下是关于半导体材料GaN(氮化镓)的详细介绍: 一、GaN的结构和特性
凭借GaN材料的能带特性，自供电GaN基紫外光电探测器截止波长可达到365 nm，且无需加装滤光片，体现出远超Si的紫外探测潜能；同时，GaN出色的热导率（2.2 W·cm–1·K–1）使器件拥有优良的散热性能；此外，自供电GaN基紫外光电探测器，可在无外加电源下运作，具有更小的尺寸、更低的功耗[6]，极大降低了运行...
1、GaAs/GaN 材料简介 1.1、GaAs 砷化镓（GaAs）是当前最重要、技术成熟度最高的化合物半导体材料之一。GaAs 材料具备禁带宽度大、电子迁移率高的特性，且为直接带隙，发光效率 高，是当前光电子领域应用的最主要材料，同时也是重要的微电子材料。根 据导电性能的差异， GaAs 材料可分为半绝缘（SI） GaAs ...
反应器内温度梯度的有效调节可以在衬底中引起预翘曲，这可用于补偿外延层中的应力。使用具有V位结构的单层AlGaN缓冲层有可能实现厚Si基GaN外延材料的无裂纹和均匀生长。MOCVD设备中反应器结构的创新设计对于相关半导体材料器件的发展至关重要。中科重仪半导体科技有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与...
GaN材料是直接宽带隙半导体材料,因其带隙宽度(Eg=3.4eV)、发光效率高、电子漂移饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射、耐高温等特点,在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器和紫外探测器等光电子器件以及抗辐射、高频、高温、高压等电子器件领域有着巨大的应用潜力和广阔的市场前景,引起...
什么是 GaN 氮化镓? ——从分子结构看,科学解释: GaN:由镓(原子序数 31) 和氮(原子序数 7) 结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。 禁带:是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,GaN 的禁带宽度为 3.4eV,是硅的 3 倍多,所以说 GaN 拥有宽禁带特性(WBG)。禁带宽度决定了一种...