按照晶体生长的极性方向,氮化镓主要分为氮极性氮化镓(N-polar GaN)和镓极性氮化镓(Ga-polar GaN)两种截然不同的极化类型。现有研究表明,在高频、高功率器件等领域,氮极性氮化镓相较于传统的镓极性氮化镓技术展现出更为显著的优势。 作为一种关键的半导体材料,氮极性氮化镓在高频通信与雷达探测领域具有不可替代的作用,...
凭借GaN材料的能带特性，自供电GaN基紫外光电探测器截止波长可达到365 nm，且无需加装滤光片，体现出远超Si的紫外探测潜能；同时，GaN出色的热导率（2.2 W·cm–1·K–1）使器件拥有优良的散热性能；此外，自供电GaN基紫外光电探测器，可在无外加电源下运作，具有更小的尺寸、更低的功耗[6]，极大降低了运行...
用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底,散热性能...
📖 GaN材料的基本特性 GaN是一种III-V族直接带隙宽禁带半导体,室温下纤锌矿结构的禁带宽度为3.26eV。它有三种晶体结构:纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿(Rocksalt)。纤锌矿结构是III族氮化物中最稳定的,而闪锌矿结构则以亚稳相存在,岩盐矿结构则在高压条件下产生。纤锌矿结构的GaN材料具有优异的物理性能,如耐化学稳定性...
反应器内温度梯度的有效调节可以在衬底中引起预翘曲，这可用于补偿外延层中的应力。使用具有V位结构的单层AlGaN缓冲层有可能实现厚Si基GaN外延材料的无裂纹和均匀生长。MOCVD设备中反应器结构的创新设计对于相关半导体材料器件的发展至关重要。中科重仪半导体科技有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与...
GaN 基材料一般是指氮化镓(GaN)、氮化铝(AIN)、氮化铟(InN)以及其多元化合物(如 AIGaN、InGaN、AIInN、AlInGaN)。相较于第一代半导体 Si、Ge与第二代半导体 GaAs、InP,GaN 基材料因其具有禁带宽度大、直接带隙、强极化效应(Polarization)、电子饱和迁移速度大等特点,在光电、电力电子以及微波射频领域有着广泛的...
半导体氮化镓材料主要适用于以下领域：新型电子器件：GaN材料因其低热产生率和高击穿电场，非常适合用于研发高性能器件。采用GaN材料的新型电子器件具有高电子迁移率、高速饱和速度和低介电常数，非常适合微波器件的设计。这类器件散热性能良好，易于在大功率条件下工作，如金属场效应晶体管、异质结场效应晶体管...
GaN是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。 2、GaN 器件逐步步入成熟阶段 氮化镓技术可以追溯到 1970 年代,美国无线电公司(RCA)开发了一种氮化镓工艺来制造 LED。自上世纪90年代开始,...
GaN材料是直接宽带隙半导体材料,因其带隙宽度(Eg=3.4eV)、发光效率高、电子漂移饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射、耐高温等特点,在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器和紫外探测器等光电子器件以及抗辐射、高频、高温、高压等电子器件领域有着巨大的应用潜力和广阔的市场前景,引起...