03、工艺兼容性强 GaN器件是与现有Si半导体工艺高度兼容的平面器件,使其更容易与其他半导体器件集成。一些制造商已经实现了驱动器IC和GaN开关晶体管的集成,进一步降低了用户的门槛。 GaN材料系列具有低热发生率和高击穿电场,是开发高温高功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着MBE技术在GaN材料应用中的进展和关...
结晶GaN是一种通过温度控制在低温下通过激光沉积的材料,它具有规则的晶体结构、高表面光洁度、稳定的晶体质量,可以提供效率更高、损耗更低的电子器件。 GaN材料正在推动更高性能晶体管和集成电路的出现,创新的电力设计工程师在设计中充分利用GaN器件的优势,包括: 1.降低导通电阻,以实现更低的传导损耗 2.具有更快开关...
采用GaN设计电源时,为降低系统EMI,需考虑几个关键因素:首先,对于Cascode结构的GaN,阈值非常稳定地设定在2 V,即5 V导通,0 V关断,且提供±18 V门极电压,因而无需特别的驱动器。其次,布板很重要,尽量以短距离、小回路为原则,以最大限度地减少元件空间,并分开驱动回路和电源回路,而且需使用解调电容。对于硬开关桥...
表1:半导体材料关键特性一览 GaN在电源应用已证明能提供优于硅基器件的重要性能优势。安森美半导体和功率转换专家Transphorm就此合作,共同开发及共同推广基于GaN的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、通信、LED照明及网络领域的各种高压应用。去年,两家公司已联名推出600 V GaN 级联结构(Cascode) 晶体管NTP8G202N和NTP...
第二讲:材料的优势 相对于 Si MOSFET 和 IGBT 器件,GaN 器件提供了实质性的改进,包括快速开关时间、低导通电阻、较低的门极电容(例如,GaN 的单位门极电荷小于 1nC-Ω,而 Si 的单位门极电荷为 4nC-Ω),这些特性可以实现更快的导通和关断,同时减少栅极驱动损耗。
1.2 GaN 优势明显,5G 时代拥有丰富的应用场景 氮化镓(GaN)是极其稳定的化合物,又是坚硬和高熔点材料,熔点为 1700℃。GaN 具有高的电离度,在 三五族化合物中是最高的(0.5 或 0.43)。在大气压下,GaN 晶体一般是六方纤锌矿结构,因为其硬度大,所以 它又是一种良好的涂层保护材料。GaN 具有出色的击穿能力、更...
氮化镓(GaN)是一种「宽禁带」(WBG)材料,其禁带宽度是硅的 3 倍多。禁带宽度决定了一种材料所能承受的电场,更大的禁带宽度可以开发出载流子浓度更高的器件结构。由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的运行速度,比传统硅器件要快 100 倍。它可以在更小的器件空间...
Soitec宣布收购EpiGaN nv,增强其优化衬底产品组合氮化镓(GaN)材料优势 此次收购将加速Soitec在高速增长的5G、电源和传感器市场的渗透率 中国北京,2019年5月16日——作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司宣布,已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议,以3,000...
(1)半导体材料。镓可以与砷、磷、氮等元素形成化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN)等,广泛应用于微波、光电、太阳能等领域。其中,氮化镓是第三代半导体材料之一,具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优势,在5G通信、新能源汽车、LED等...