与HEMT结构相比，PSJ结构的GaN FET的开关频率较低，但仍可支持数MHz的工作，耐压水平不仅超过SiC器件，开关频率也远高于SiC MOSFET（上限数为数百kHz）、Si IGBT（数十kHz）。如果使用比GaN自支撑晶圆更经济、绝缘性更出色的蓝宝石晶圆（GaN on Sapphire）的话，横向型器件的上市时间有望早于垂直型GaN。当然，如...
其中，GaN on Sapphire算是最为成熟，也最为常见，主要用在LED领域；QST基板由Qromis研发，具有与氮化镓磊晶层更紧密匹配的热膨胀系数，在制程中堆栈氮化镓的同时，也能降低翘曲破片，更有利于晶圆代工厂实现量产，因此成为了联电、世界先进两大晶圆代工厂的选择。目前，联电透露预计2022年将提供8英寸 GaN on QST方...
Transphorm的1200伏技术以经过验证的工艺和成熟的技术为基础，满足了客户在可靠性方面的要求。GaN-on-Sapphire工艺目前正在LED市场内进行批量生产。此外，1200伏技术充分利用了Transphorm当前器件组合中使用的性能优越、通常关闭的氮化镓平台。TP120H070WS器件的主要规格包括：70 mΩ RDS（开启）常关高效双向电流± 20 Vma...
高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统,以及已普遍用于工业...
网络蓝宝石基板 网络释义 1. 蓝宝石基板 ...-on-Si型LED元件由东芝与普瑞光电(Bridgelux)共同开发。与目前普遍使用的蓝宝石基板(GaN-on-Sapphire型)LED元件 … www.cntronics.com|基于9个网页
盖世汽车讯 据外媒报道,半导体公司Transphorm宣布推出其1200 V FET仿真模型和初步数据表:TP120H070WS FET,这也是是迄今为止推出的唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半导体。 图片来源:Transphorm 此次发布表明Transphorm有能力支持未来的汽车电源系统,以及通常用于广泛的工业、数据通信和可再生能源市场的三相电源系统。这...
其中GaN on Sapphire算是最为成熟，也最为常见，主要用在LED领域。而GaN on Si和GaN on SiC主要应用领域是电力电子和微波射频。我们先从GaN材料和器件本身来开启本次的研究之旅——一、GaN材料和器件 同SiC一样，GaN也是一种宽禁带半导体。相比于Si材料，宽禁带半导体在带隙能量、耐压、导热、耐高温和工作频率等...
Transphorm宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先同类产品。该器件已准备就绪,可将Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统、以及已普遍用于工业、...
TP120H070WS场效应晶体管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,开创了同类产品的先河。它的发布表明Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统,以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。与替代技术相比,这些应用可受益于1200伏氮化镓器件更高的功率密度及更优异的可靠性、同等或更...
目前，GaN材料主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。另外，还有GaN-on-sapphire和GaN-on-GaN，不过这两种衬底的应用市场很有限。GaN-on-SiC射频器件可应用于5G宏基站、卫星通信、微波雷达、航空航天等军事/民用领域；GaN-on-Si可制成功率器件，可在大功率快充充电...