GaN 晶体生长过程中缺 陷的产生是不可避免的,根据尺度和形貌的不同, 缺陷被分为四种[4]:零维缺陷,即点缺陷,与单个 原子的位置有关,如空位(VGa、VN)、间隙原子(Ni、 Gai、间隙杂质原子)、替代原子(NGa、GaN、替代杂 质原子),掺杂 GaN 就是通过晶体中杂质原子形成 点缺陷从而影响晶体的光电性质。不同的点...
思克莱德大学(University of Strathclyde)的Chris Deatcher博士和Ian Watson博士使用金属有机气相外延法生长了一系列不同浓度的Mg掺杂GaN样品。他们首先在蓝宝石上异质外延生长nid-GaN缓冲层,然后在缓冲层上生长厚度1 mm的GaN层,GaN中含有不同含量的Mg掺杂。这类Mg掺杂GaN层可用于p-i-n LED结构。 在这些样品中,Mg...
掺杂是改善半导体材料电学性能最普遍的方法,通过不同掺杂剂的掺杂利用可以获得不同类型的GaN单晶衬底,提高其电化学特性,满足市场应用的不同需求。在HVPE法GaN的掺杂研究方面,该综述不仅介绍了n型、p型、半绝缘型GaN晶体的生长技术及最新研究进展,而且总结了不同...
掺杂是改变GaN纳米材料性能的重要手段。常见的掺杂元素包括Si、Mg等。不同的掺杂元素和掺杂方式会对GaN纳米材料的性质产生不同的影响。例如,Si掺杂可以提高GaN的导电性,而Mg掺杂则可以提高其光学性能。此外,掺杂的方式也会影响材料的性能,如固相掺杂和液相掺杂就有很大的差异。我们详细探讨了各种掺杂方式的特点和影响,...
4英寸氮化镓晶体(硅掺)规格书材质:氮化镓晶体直径:100 ± 0.3 mm厚度:400-500 um表面取向: (0001) Ga face掺杂类型:N型 硅Si掺杂电阻率:≤0.02 ohm-cm抛光:双面抛光粗糙度Ra包装:单片盒包装 氮化镓(GaN)半导体禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高;较...
对于异质原子掺杂的 g-GaN 单层,选择了 12 种 TM 元素(Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Mo、Ru、Pd、Pt 和 Ru)。通过在 4 × 4 × 1 g-GaN 超晶胞中用 TM 原子替代 Ga 原子构建 TM/g-GaN 模型,对应掺杂浓度为 3.1%。为...
GaN掺杂第一性原理研究 第1章绪论 (1) 1.1 研究背景 (1) 1.2 半导体GaN的研究背景及发展前景 (2) 1.3 目前影响GaN材料应用的主要问题 (4) 1.4 半导体掺杂理论 (4) 1.5 能带理论 (5) 1.6 态密度理论 (6) 1.7 光吸收和发射理论 (7) 1.8 本文的研究内容和意义 (7) 第2章理论计算方法 (8) 2.1 第...
长期以来GaN材料的p型有效掺杂浓度不高，无法实现p型重掺杂。其主要原因有以下几个方面：首先，GaN材料生长过程中容易产生N空位，N空位是施主源，所以GaN是一种自补偿型的材料，未掺杂就显n型；其次，MOCVD生长GaN时采用有机镓和NH3反应，则在GaN中含有H，这样当Mg作为受主杂质掺杂时就和H形成了电...
“我们已经证明,您可以选择性地掺杂GaN以创建功能性JBS二极管,并且这些二极管不仅具有功能性,而且比使用传统半导体的JBS二极管实现更高的功率效率转换。例如,在技术方面,我们的GaN JBS二极管在自支撑GaN衬底上制造,具有创纪录的高击穿电压(915 V)和创纪录的低导通电阻。