对n型GaN和p型GaN的迁移率是反映半导体的导电性的重要参数。相同的掺杂浓度,当载流子的迁移率越大时,半导体材料的导电率越高。迁移率的大小不仅与电导率的强弱有关,而且直接决定着载体运动的速度。它直接影响半导体器件的工作速度。本文研究掺杂浓度对n-GaN和p-GaN载流子浓度和迁移率的影响。 关键词:掺杂浓度; n-GaN;
本发明涉及一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构的制备方法,包括在衬底上生长缓冲层,在所述的缓冲层上生长p型GaN层,在生长所述的p型GaN层时,掺入活化剂,所述的活化剂为In和/或Al,所述的活化剂的摩尔流量为10~300umol/min.一种提升p型GaN掺杂浓度的外延结构,其由所述的制备方法制得.本发明在生长p型GaN时...
不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光 维普资讯 http://www.cqvip.com
从上表中可以看出氮化镓材料由于具有很高的临界电场,因此氮化镓材料具有很高的临界掺杂浓度Ncrit。同时由于氮化镓材料的载流子具有很高的峰值速度,并且其的负微分迁移率比较低,所以氮化镓材料相比砷化镓材料具有更高的(NL)0。
P GaN的激活浓度一般是多少？其激活浓度的提高对亮度和降低功耗有何意义？激活浓度的提高是否可以降低发热...
一是Al x Ga 1-x N P GaN 异质结界面处具有很大的导带偏移,Al x Ga 1-x N P GaN 量子阱中ISB T 可以达到光通信波段(约为1155L m),因此可以满足超快全光学器件对波长的要求 [4].第二个主要原因是Ga N 基材 料具有很大的LO 声子能量(约为88me V)和很大的电子有效质量(约为012m 0)[5,6],Al...
摘要:南京航空航天大学阚彩侠教授课题组构筑了ZnO微米线和p + -GaN异质结基的自驱动光电探测器,并通过调控镓掺杂浓度研究了热释电光电子效应。ZnO微米线中镓掺杂浓度可以调节光电探测器的热释电电流和光伏电流,这可归因于掺杂浓度的增加导致温度变化速率的增加和异质结耗尽层的收窄。
这是因为高浓度 n 型掺杂 SiC 晶体在导带中存在大量载流子(电子),基于能带结构的特点,它们会吸收特定能量的可见光。通常情况下,半导体的禁带宽度会随着原子间距的减小而增大。就拿 SiC 来说,它的禁带宽度比 Si 大,却又小于 C(金刚石)的禁带宽度(5.5eV)。另外,GaN 的原子间距离(0.192nm)和 SiC 的原子间距离...
关键词:掺杂浓度; n-GaN; p-GaN; 载流子浓度; 迁移率; 影响 引言 GaN是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料,是制备蓝光和紫外波段半导体发光器件的理想材料。目前广泛使用的掺杂技术是用镁选择p型氮化镓材料。因为GaN的生长过程中,Mg结合在高温生长气氛氨分解产生的氢形成Mg-H复合体。因此,有必要在高温下直接退火以激活...
实验发现随着火退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg:GaN材料的光致发光谱蓝带峰能量相差变小,经850℃退火后蓝带集中在2.92eV附近。利用Mg:GaN材料内部补偿模型对此现象进行了分析,同时认为对于掺杂浓度较高的样品,850℃为最佳的退火温度。周晓滢郭文平等Journal of Semiconductors周晓滢,郭文平,胡卉. 不同Mg掺杂浓度的GaN...