【摘要】研究表明,尽管C掺杂有利于费米能级的向下移动,但当C浓度超过阈值(此处为2×1018 cm−3)时,费米能级将沿相反的方向移动,最终位于带隙的上部。 硅上GaN由于其在高击穿电压、高频、高温操作方面的优异性能以及与硅CMOS工艺兼容的优势,已成为下一代功率电子器件最有前途的候选者之一。对于硅上GaN基高电子迁...
本发明公开了Ce掺杂GaN纳米线的制备方法,属于纳米材料及其制备的技术领域,通过两步(化学气相沉积法和固态烧结扩散法)制备Ce掺杂GaN纳米线:高纯Ga2O3粉,高纯Ce(NO3)3·6H2O粉和NH3气分别作为Ga源,Ce源和N源;将研磨后的Ga2O3粉末置于水平管式炉中央位置,并在管式炉下游放置Si衬底,对系统抽真空至5×10-3Pa...
这是因为高浓度 n 型掺杂 SiC 晶体在导带中存在大量载流子(电子),基于能带结构的特点,它们会吸收特定能量的可见光。通常情况下,半导体的禁带宽度会随着原子间距的减小而增大。就拿 SiC 来说,它的禁带宽度比 Si 大,却又小于 C(金刚石)的禁带宽度(5.5eV)。另外,GaN 的原子间距离(0.192nm)和 SiC 的原子间距离...
(54)发明名称 镁掺杂制备的增强型 GaN 基 HEMT 器件 (57)摘要 本实用新型公开了镁掺杂制备的增强型 GaN 基 HEMT 器件,包括硅衬底、GaN 外延层、Al 法律状态 法律状态公告日 2020-02-18 法律状态信息 授权 法律状态 授权 权利要求说明书 镁掺杂制备的增强型 GaN 基 HEMT 器件的权利要求说明书内容是...请下...
是平带,这将使得Al x Ga 1-x N P GaN 双量子阱(DQWs)中ISB T 波长和吸收系数对其结构和掺杂浓度的依赖关系与Ga As 基系统不同.在本文中,我们系统地研究了Al x Ga 1-x N P GaN 的DQWs 结构参数和掺杂浓度对ISB T 波长和吸收系数的影响.这些参数包括DQWs 中间耦合势垒的高度、中间耦合势垒的宽度、...
报道了研制的AlGaN/GaN微波功率HEMT,该器件采用以蓝宝石为衬底的非掺杂AlGaN/GaN异质结构,器件工艺采用了Ti/Al/Ni/Au欧姆接触和Ni/Au肖特基势垒接触以及SiN介质进行器件的钝化.研制的200μm栅宽T型布局AlGaN/GaN HEMT在1.8GHz,Vds=30V时输出功率为28.93dBm,输出功率密度达到3.9W/mm,功率增益为15.59dB,功率附加效率...
【摘要】研究表明,尽管C掺杂有利于费米能级的向下移动,但当C浓度超过阈值(此处为2×1018 cm−3)时,费米能级将沿相反的方向移动,最终位于带隙的上部。 硅上GaN由于其在高击穿电压、高频、高温操作方面的优异性能以及与硅CMOS工艺兼容的优势,已成为下一代功率电子器件最有前途的候选者之一。对于硅上GaN基高电子迁...