强器,而成像增强器的关键工艺是GaN、A1GaN单晶的外延生长、单晶材料的掺杂浓度等,决定了器件的整体 性能。基于A1GaN、GaN的光电阴极材料具有负电子亲和势、量子效率高、暗发射小、发射的电子能量分布集 中、没有颠簸性,而且有近贴聚焦成像空间分辨率高等独特优点,是一种非常理想的新型紫外光电阴极材料F】。 由于GaN
本发明公开了一种准垂直混合式N型高掺杂GaN LED芯片的制备方法,在蓝宝石生长衬底上生长GaN成核层,在GaN成核层上生长非故意掺杂GaN缓冲层,接着生长高掺杂N型GaN欧姆接触层,InGaN/GaN多量子阱(MQWs)有源层,P型AlGaN调制掺杂层和P型GaN欧姆接触层.然后,用ICP(耦合离子刻蚀)或RIE(反应离子刻蚀)蚀刻,小部分蚀刻P...
GaN材料掺杂浓度光致发光退火温度采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0doi:10.3969/j.issn.1006-7086.2009.04.008王宝林中国电子科技集团公司李朝木南京电子器件研究所曾正清中国电子科技集团公司李峰中国电子科技集团公司真空与低温...
改进型GaN材料的掺杂工艺研究 GaN材料掺杂浓度光致发光退火温度采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5μm厚度的P-Al_xGa_(1-x)N/GaN层(0doi:CNKI:SUN:ZKDW.0.2009-04-015王宝林李朝木曾正清李峰CNKI真空与低温
GaN光电阴极激活工艺利用自行研制的光电阴极多信息量测试评估系统,在线测试了梯度掺杂结构GaN光电阴极在激活过程中的光电流、Cs源电流和O源电流。根据激活后的阴极光谱响应曲线和量子产额曲线,分析了超高真空室真空度、激活前的阴极表面净化程度、激活中首次进Cs量、激活中的Cs/O比以及Cs/O源在激活中的供给方式等对...