(Ref:Z. Galazka, et al, Journal of Crystal Growth, 404(184), 2014) 图:(左)典型的氧化镓SBD垂直结构,采用了Si掺杂的导通衬底;(右)典型的氧化镓MOSFET平面结构,采用了Fe掺杂的绝缘衬底 (Ref:J. Zhang, et al, Journal of Synthetic Crystals, 49(11), 2020;Y. Lv, et al., Journal of Inorgan...
2017年9月，Novel Crystal Technology公司开始批量生产φ2英寸Ga2O3外延片，并于2021年12月成功开发出世界上首个安培级1200V肖特基势垒二极管（β-Ga2O3 SBD）。2023年12月，该公司采用垂直布里奇曼法（VB法）成功生产出全球首款φ6英寸β型Ga2O3单晶，与导模法（EFG法）相比，晶体质量更高。富士经济预测，到2030...
2017年9月,Novel Crystal Technology公司开始批量生产φ2英寸Ga2O3外延片,并于2021年12月成功开发出世界上首个安培级1200V肖特基势垒二极管(β-Ga2O3 SBD)。2023年12月,该公司采用垂直布里奇曼法(VB法)成功生产出全球首款φ6英寸β型Ga2O3单晶,与导模法(EFG法)相比,晶体质量更高。 富士经济预测,到2030年左右,...
期间，德国爱思强股份有限公司协办的“超宽禁带半导体技术”分会上，中国电科十三所重点实验室高级工程师王元刚带来了“高性能Ga2O3 SBD功率器件研究”的主题报告，分享了最新研究成果。超宽禁带氧化镓（Ga2O3）材料具大禁带宽度（4.5-4.8 eV）、高临界击穿场强（8 MV/cm）、低成本和大尺寸等优势，在功率开关...
7月22日,韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布,公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓(Ga2O3)肖特基势垒二极管(SBD)。 source:Siegtronics 据悉,氧化镓是一种宽带隙(WBG)材料,与碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)相比,具有更宽带隙和更高的临界击穿场强。它克服了现有产品的缺点——低击穿电压(VB)和高漏电流(IL),实现了...
另根据公开的资料显示,田村在2017年的日本高新技术博览会上推出了氧化镓SBD功率器件。美国在2018年也开始了对氧化镓材料的研究。我国对材料的关注也在不断加强,在十四五规划里就将第三代半导体材料作为发展的重点,并且在科技规划里,将超宽禁带半导体材料列入了战略研究布局。2018年我国也启动了包括氧化镓、金刚石、...
然而GaO目前仅有N型材料,这就让其未来的应用潜力充满不确定性,业界唯恐器件开发受到材料限制成为一条断头路,所以尽管当前Ga2O3 SBD已可实现量产,业界仍对Ga2O3的未来产生质疑。 新产品的导入需要时间:功率半导体应用十分广泛,因此TOP厂家都有成千上万的SKU型号以满足各行业客户选型需求,难以用一款爆品支撑市场。
尽管当前Ga2O3 SBD已实现量产，但业界对Ga2O3的未来仍持谨慎态度。新产品的市场导入需要时间：功率半导体在各个行业都有着广泛的应用，因此，主流制造商通常拥有成千上万种SKU型号以满足不同客户的需求。然而，第三代半导体如GaN和SiC，其主流应用集中在快充、新能源车及充电桩，以及光伏等领域，仅需几种规格的产品...
近日,基于Crosslight公司先进的半导体仿真设计平台,我司技术团队不断突破技术瓶颈,完善材料性质及物理模型,创新性地开发出了Ga2O3-SBD计算模型。如上图所示,基于该模型计算输出的结果与实验结果高度吻合,对于SBD器件内部物理机制的研究极具重要的意义。该模型的成功开发有助于研究人员理清影响Ga2O3-SBD性能的诸多因素,为...
作者使用Simcenter T3STER基于电学法的热瞬态测试技术来研究SBD的结壳热阻。具体步骤是: 1、标定K系数:测试电流选择为10mA,标定结果如图4(a)所示。 2、利用瞬态热测试界面法(TDIM)来测试结壳热阻,具体方法在下文中进行阐述。 (a)Ga2O3器件的k系数曲线 ...