目前Mist- CVD技术在Ga2O3上的应用也得到了广泛的发展。京都大学的研究小组利用溶于水和盐酸(HCl)的化学物质,即乙酸丙酮镓,乙酰丙酮铁,乙酰丙酮铝和无水氯化锡等作为金属源,在蓝宝石衬底上生长的 α相Ga2O3和掺杂的 α相Ga2O3外延薄膜。另外,无机前驱物氯化镓,溴化镓或者碘化镓也可以作为前驱体生长Ga2O3薄膜。
A、金属Ga的活动性比锌强,而锌排在氢之前,La可以和HCl反应制得GaCl3和氢气,能直接反应制取GaCl3。B、金属氧化物能与酸反应,Ga2O3和HCl可以反应制得GaCl3和水,能直接反应制取GaCl3。C、Ga(OH)3属于碱,能与稀盐酸反应生成GaCl3和水,能直接反应制取GaCl3。D、Ga(OH)3难溶于水,不能与氯化钾溶液发生复...
10.( 1)Ga_2O_3 (2)①A ②HCl(或H2SO4) (3) 2Ga+6HCl=2GaCl_3+3H_2 ↑、3NaOH+ GaCl_3=Ga(OH)_3↓+3NaCl 【点拨】 (1)镓在化合物中常显+3价,氧元素显 -2价,则镓的氧化物的化学式为 Ga_2O_3 。 (2)①溶 解性、状态、颜色均不需要发生化学变化就能表现 出来,属于物质的物理...
目前Mist- CVD技术在Ga2O3上的应用也得到了广泛的发展。京都大学的研究小组利用溶于水和盐酸(HCl)的化学物质,即乙酸丙酮镓,乙酰丙酮铁,乙酰丙酮铝和无水氯化锡等作为金属源,在蓝宝石衬底上生长的 α相Ga2O3和掺杂的 α相Ga2O3外延薄膜。另外,无机前驱物氯化镓,溴化镓或者碘化镓也可以作为前驱体生长Ga2O3薄膜。
京都大学的研究小组利用溶于水和盐酸(HCl)的化学物质,即乙酸丙酮镓,乙酰丙酮铁,乙酰丙酮铝和无水氯化锡等作为金属源,在蓝宝石衬底上生长的 α相Ga2O3和掺杂的 α相Ga2O3外延薄膜。另外,无机前驱物氯化镓,溴化镓或者碘化镓也可以作为前驱体生长Ga2O3薄膜。日本FLOSFIA公司,已经利用Mist- CVD在4英寸蓝宝石衬底上...
In this study, we dry etched SiO2-masked (001) 尾-Ga2O3 substrates in HCl gas flow at a high temperature without plasma excitation. The etching was done selectively in window areas to form holes or trenches with inner sidewalls of (100) and/or {310} facets, which are the smallest ...
(3)镓原子的最外层有3个电子,在化学反应中易失去3个电子而显+3价,氧元素化合价为﹣2价,镓的氧化物的化学式为:Ga2O3。 (4)反应物为NH3和GaCl3,生成物为GaN,不难判断出另一种产物为HCl,根据原子守恒写出化学方程式为:GaCl3+NH3=GaN+3HCl; 答案: (1)熔点低; (2)3; (3)Ga2O3。 (4)GaCl3+NH3=...
(1) Ga_2O_3 (2)①A ②HCl; H2SO4 (3) 2Ga+6HCl=2GaCl_3+3H_2↑ 、 3NaOH+GaCl_3= Ca(OH)_3↓+3NaCl 点拨:(3)因为金属活动性:ZnGaFe,所以可用镓和稀 盐酸反应,生成氯化镓和氢气,氯化镓与氢氧化钠发生复 分解反应生成氢氧化镓沉淀和氯化钠,化学方程式依次为 2Ga+6HCl=2GaCl_3+3H_2...
HCl flow-induced phase change of α-, β-, and ε-Ga2O3 films grown by MOCVD. Cryst Growth Des, 2018, 18: 2370–2376 CAS Google Scholar Boschi F, Bosi M, Berzina T, et al. Hetero-epitaxy of ε-Ga2O3 layers by MOCVD and ALD. J Cryst Growth, 2016, 443: 25–30 CAS Google ...
硝酸盐产生NO、NO,氯化盐产生HCl或Cl),高温步骤会带来更大的成本和能耗。 22 虽然用GaO粉末与MFI分子筛进行机械混合可以避免这些问题,但是负载上的 23 GaO颗粒往往粒径较大、分散不均,进而影响催化性能。因此,开发一种简洁、绿 23 色、高效的GaO/MFI分子筛的制备方法有着不可忽视的意义。 23 本工作将液体金属...