XPS测试 （图4）揭示了β-Ga2O3/κ-Ga2O3异质结的II型能带对齐，其导带和价带偏移分别为0.71 eV和0.65 eV，表明界面处存在强电场。这种界面电场能够在无外加偏压的情况下有效分离光生电子-空穴对。这种II型异质结的一个有前景的应用是检测日盲深紫外信号，尤其是在自供电模式下。因此，所展示的II型单晶β-...
界面清晰且通过原子模型准确映射,展现了从κ相平滑过渡到β相的β/κ Ga2O3异质结. XPS测试 (图4)揭示了β-Ga2O3/κ-Ga2O3异质结的II型能带对齐,其导带和价带偏移分别为0.71 eV和0.65 eV,表明界面处存在强电场。这种界面电场能够在无外加偏压的情况下有效分离光生电子-空穴对。这种II型异质结的一个有前景...
课题组采用低成本、生长速度较快的等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)生长了四组Ga2O3薄膜,将其中的三组薄膜分别在真空、氧气和氧等离子体中使用1000 ℃的高温退火1小时。通过对四组Ga2O3薄膜带隙的拟合和X射线光电子能谱(XPS)分析(如图1所示),发现热重组使得Ga2O3薄膜表面的能带结构(包括禁带宽度和价带位置)发...
通过电子顺磁共振波谱(EPR)及X射线光电子能谱(XPS)分析,验证所合成的Ga2O3具有丰富氧空位。通过对Ga2O3掺杂前后电解质的电化学交流阻抗(EIS)、X射线衍射(XRD)及红外光谱(FTIR),证明Ga2O3的氧空位促进了LiTFSI解离,降低了PEO聚合物链段交联程度,从而获得了更高的离子电导率及更好的电化学性能。 此外,通过XPS及...
最后,作者结合XPS及扫描电子显微镜(SEM)进一步分析发现,制备的Ga2O3聚合物电解质在循环过程中会形成Li-Ga合金和LiF、Li3N等SEI膜成分。这两者可以促进锂离子的快速迁移,同时抑制锂枝晶生长。因此,Ga2O3纳米块掺杂的PEO电解质所组装的全固态...
图2. 溅射非晶GaOx膜的X射线光电光谱光谱和基本电学特性。(a) XPS O1s核心级光谱,(b)黑暗环境下双对数坐标的I-V曲线以及与空间电荷限制电流(SCLC)模型的拟合。插图显示了测试结构的横截面图。 为了探索非晶GaOx薄膜光电晶体管的光电特性,在254 nm 深紫外光光照射下进行了光电性能测量,如图3所示。在测量过程中,...
XPS was used to identify the surface stoichiometry and nature of the interface when Ga2O3 was coated with a thin layer of Pd. Ga2O3 has an anisotropic crystal structure, leading to anisotropy in both its optical constants and conductivity. Ga2O3's anisotropy was observed with UV-Vis, and ...
图3为本实施例制备的β-ga2o3纳米线的高分辨率xps能谱图,其中:图3(a)和图3(b)显示出了β-ga2o3中的ga的xps能谱图,1118.1ev对应于ga2p3/2,20.4ev对应于ga3d5/2,为β-ga2o3的特征峰;图3c所示为o的1s的xps光谱图,从图中可以看到分别位于530.9ev和532.1ev的两个峰,这也与β-ga2o3中氧的结合能相...
The depth-resolved X-ray photo-emission spectra (XPS) and atomic-ratio analysis indicate that a intermediate and thin 20 nm GaON layer of graded composition forms the Ga2O3/GaON/GaN system, which releases the interfacial strain and thus minimizes the density of interfacial states. The IV and ...
摘要: 利用XRD,XPS,TPR等技术对Ga2O3/HZSM-5催化剂进行表征,结果表明,催化剂中镓组分以聚集态和分散态的形式存在,其中聚集态中α-Ga2O3在一定条件下可转化为β-Ga2O3;分散态又可分为游离Ga2O3和与HZSM-5产生相互作用的镓组分,催化剂预处理条件及反应一再生过程对镓的分布及状态有较大影响.关键词:...