【解析】(1)铝是13号元素,铝原子核外共有三个电子层,最外层有3个电子,所以铝在元素周期表中的位置是第三周期第IIIA族,铝的氧化物A2O3具有两性,与氢氧化钠溶液反应生成偏铝酸钠和水,镓与铝是同主族元素,性质相似,则Ga2O3与NaOH反应 x_1G_2O_3+2NaOH = 2NaGaO_2+H_2O ,离子方程式为 Ga_2O_3+2...
a Ga2O3 + b NaOH + c H2O = d Na(Ga(OH)4) Step 2: Create a System of Equations Create an equation for each element (Ga, O, Na, H) where each term represents the number of atoms of the element in each reactant or product. Ga: 2a + 0b + 0c = 1d O: 3a +...
NaOH过量会使Ga(OH)3溶解 ⑦. [Ga(OH)4]-+3e-=Ga+4OH- ⑧. 溶液的酸碱度或pH ⑨. 防止被氧气氧化和减压 【分析】 锌粉置换渣(主要成分有Ga2O3、Ga2S3、ZnS、FeO、Fe2O3、SiO2,还有部分锗元素)中加入H2SO4、并通入O2发生反应得到含Ga3+、Zn2+、Fe3+等的浸出液;根据已知②,浸出液经中和过滤后...
Ga位于周期表的第四周期,与A1同主族,主要存在Ga3+、GaO2-两种离子形态。 (1)请画出Ga的原子结构示意图___。 (2)请写出Ga2O3溶解在NaOH溶液中的离子方程式___。 (3)氮化镓(GaN)可用于制作蓝色LED光源。GaN的传统工艺是用GaCl3与NH3反应来制备,新工艺则采用金属Ga与NH3在一定条件下来合成。已知: ①GaCl3...
Ga位于周期表的第四周期,与A1同主族,主要存在Ga3+、GaO2-两种离子形态。 (1)请画出Ga的原子结构示意图___。 (2)请写出Ga2O3溶解在NaOH溶液中的离子方程式___。 (3)氮化镓(GaN)可用于制作蓝色LED光源。GaN的传统工艺是用GaCl3与NH3反应来制备,新工艺则采用金属Ga与NH3在一定条件下来合成。已知: ①GaCl3...
赤泥是铝土矿生产Al2O3过程中产生的一种固体废弃物,现设计从赤泥中(含Fe2O3、Al2O3、Ga2O3)提取镓(Ga)的工艺如图所示,下列说法错误的是 已知:Ga2O3与Al2O3性质相似,能与NaOH反应生成可溶性盐NaGaO2。 A. 浸渣A的主要成分是Fe2O3 B. 溶液B中含有金属元素的离子主要有Na+、Al3+ C. 通过萃取、反萃...
镓与铝是同主族元素,性质相似。(1)铝在元素周期表中的位置是___。写出Ga2O3与NaOH反应的离子方程式:___。(2)GaN是一种直接能隙(directbandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。一种镍催化法生产GaN的工艺如图:①“热转化”时Ga转化为GaN的化学方程式是___。②“酸浸”操作目的是___。(3)As与...
根据铝土矿的成分为 Al2O3、Ga2O3、Fe2O3 等,由题中信息,镓与铝同主族,其氧化物和氢氧化物均为两性化合物,可知,加入 NaOH 溶液“碱溶”,Al2O3、Ga2O3 均与NaOH 反应进入溶液中,而 Fe2O3 不与NaOH 反应,仍以固体形式存在,过滤时进入滤渣中,滤渣 1 的成分是 Fe2O3。 (3) 因为滤液 2 中主...
23、优选地,所述步骤1中使用浓度为3%～5%的koh溶液对所述p型硅片进行碱性抛光,所述步骤2中制绒时使用浓度为3%～5%的naoh溶液对p型硅片表面均匀腐蚀。 24、优选地,所述步骤3中清洗流程为:将nh3h2o、h2o2以及去离子水按体积比1:1:5混合制备第一清洗液,然后将hcl、h2o2以及去离子水按体积比1:1:5混合制备第...
实验室用发光二极管(LED)的生产废料(主要成分为难溶于水的GaN,含少量In、Mg金属)制备Ga2O3,过程如下。已知:Ga与In为同族元素,In难溶于NaOH溶液。 (1)①基态镓(Ga)原子的价电子排布式为___。 ②Ⅰ中GaN反应生成[Ga(OH)4]-的离子方程式为___。 ③Ⅰ使用装置...