图2可以明显看出，正交晶系κ-Ga2O3与单斜晶系β-Ga2O3的XRD图谱存在显著差异。通过SIMS测得的β相/κ相Ga2O3样品中元素的分布情况，可以发现Sn和Si的强度在β相和κ相Ga2O3界面处显著增加。这一现象可归因于在沉积κ相Ga2O3时使用的靶材（Ga2O3:SnO2:SiO2，98.4%:1.5%:0.1%，重量比）中含有Si和Sn的...
本文使用导模法生长了高质量Ni掺杂β-Ga2O3单晶。XRD图谱及劳厄衍射图样显示,晶体的结晶质量较高,晶体结构未因为掺杂发生改变。晶体的近红外波段未见明显的光吸收,具有半绝缘的电学性能,其光学带隙约为4.74 eV,紫外截止边仍在日盲波段内,作为半绝缘衬底可用于制备高温、高压以及大功率器件。本研究通过CL光谱发现了Ni...
通过对Ga2O3掺杂前后电解质的电化学交流阻抗(EIS)、X射线衍射(XRD)及红外光谱(FTIR),证明Ga2O3的氧空位促进了LiTFSI解离,降低了PEO聚合物链段交联程度,从而获得了更高的离子电导率及更好的电化学性能。 此外,通过XPS及扫描电子显微镜(SEM)分析发现,制备的Ga2O3聚合物电解质在循环过程中会形成Li-Ga合金和稳定的...
本文使用导模法生长了高质量Ni掺杂β-Ga2O3单晶。XRD图谱及劳厄衍射图样显示,晶体的结晶质量较高,晶体结构未因为掺杂发生改变。晶体的近红外波段未见明显的光吸收,具有半绝缘的电学性能,其光学带隙约为4.74 eV,紫外截止边仍在日盲波段内,作为半绝缘衬底可用于制备高温、高压以及大功率器件。本研究通过CL光谱发现了Ni...
XRD图谱及劳厄衍射图样显示,晶体的结晶质量较高,晶体结构未因为掺杂发生改变。晶体的近红外波段未见明显的光吸收,具有半绝缘的电学性能,其光学带隙约为4.74 eV,紫外截止边仍在日盲波段内,作为半绝缘衬底可用于制备高温、高压以及大功率器件。本研究通过CL光谱发现了Ni掺杂β-Ga2O3单晶在600~800 nm波段的宽带近红外...
图2可以明显看出,正交晶系κ-Ga2O3与单斜晶系β-Ga2O3的XRD图谱存在显著差异。通过SIMS测得的β相/κ相Ga2O3样品中元素的分布情况,可以发现Sn和Si的强度在β相和κ相Ga2O3界面处显著增加。这一现象可归因于在沉积κ相Ga2O3时使用的靶材(Ga2O3:SnO2:SiO2,98.4%:1.5%:0.1%,重量比)中含有Si和Sn的成分。
先看ga2o3结晶性好不好 如果好 一定程度上可以认为从xrd判断反应是否彻底 但如果是无定型 则需用edx xps 等判断是否有氧 hufangy 如果这样判断 那就太粗糙了,最好用xps来判断 dgz5530739 3楼: Originally posted by hufangy at 2012-08-10 13:18:13 如果这样判断 那就太粗糙了,最好用xps来判断 如果XP...
图1. (a) 具有金属栅结构的Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器结构示意图;(a1)金属栅区域的TEM图像;(b) Ga2O3薄膜的高分辨率XRD摇摆曲线;(c) Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器结构俯视图;(d) Ga2O3/AlGaN/GaN日盲紫外探测器的能带分布图。 同时,技术团队还系统地研究了金属栅在黑暗和光照条件下对二维电子气(...
栅极可调光检测能力的非晶Ga2O3日盲场效应光电晶体管如图1所示。为了确定非晶GaOx膜的特性,进行了X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)测量,实验表明,沉积的GaOx膜具有平坦表面和高均匀性。 图1.非晶态GaOx薄膜场效应光电晶体管的结构示意图和非晶态GaOx薄膜的物理特性。(a)制成的GaOx光电晶体管...
(d)β-Ga2O3单晶膜的X射线衍射(XRD)曲线,清楚地显示(400)和(800)面的峰; (e)SiO2基板上沉积的大面积β-Ga2O3膜的光学显微图像(比例尺200 μm); (f)β-Ga2O3膜的扫描电子显微镜(SEM)图像(比例尺400 nm),显示出极高的致密度和局部均匀性; ...