β-Ga2O3在可见光和紫外光区域具有良好的透光性能,因此可用于制作光学器件,如透明电极、光波导等。 2. β-氧化镓(β-Ga2O3)单晶晶圆的应用 2.1 高功率电子器件 由于β-Ga2O3具有高禁带宽度和高热稳定性,它非常适合用于制作高功率电子器件,如功率开关、整流器和太阳能电池等...
B.同主族元素性质具有相似性,Ga与Al同主族,氧化铝的熔沸点很高,则β-Ga2O3也具有很高的熔沸点,故B正确; C. Ga是金属,Ga与Al同主族,同主族元素从上至下金属性逐渐增强,则Ga金属性强于铝,铝能与酸反应,则Ga单质也能与酸反应,故C正确; D.Ga是金属元素,Si是非金属元素,故D错误; 答案选D。反馈...
半高全宽(FWHM)是评价光电子器件中材料吸收边缘的重要指标之一,对于βGa2O3单晶的研究具有重要意义。本文将探讨βGa2O3单晶氧化镓的半高全宽及其影响因素。 2. βGa2O3单晶的结构和特性。 βGa2O3单晶属于六方晶系,具有宽禁带宽度和高电子迁移率等优异特性。其结构稳定,具有优良的热稳定性和光学性能,因此在光...
本研究通过对β-Ga2O3基肖特基二极管在重离子辐照环境下的研究,探索了器件的辐射损伤机制。实验结果表明,重离子辐照会明显影响器件的电流-电压特性,并导致器件表面和晶体结构出现缺陷和损伤。研究结果为提高β-Ga2O3肖特基二极管的抗辐射性能提供参考,也为该材料在高能辐射环境下的应用提供了理论依据。未来的研究可以进一...
MgO(100)上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University ...
爱企查为您提供合肥单晶材料科技有限公司氧化镓单晶衬底 β-Ga2O3 10*5*0.5mm 紫外高能射线探测器实验材料等产品,您可以查看公司工商信息、主营业务、详细的商品参数、图片、价格等信息,并联系商家咨询底价。欲了解更多钛酸锶单晶、氧化镁单晶、YAG、掺杂YAG、透明陶瓷、
超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展,β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构、基
β-Ga2O3具有宽带隙(约4.9 eV),高电子迁移率和较高的热导率等特点,使其在高功率器件中具备很好的应用前景。因此,基于β-Ga2O3材料的大功率MOSFETs成为了众多研究者的关注点。 首先,我们需要了解β-Ga2O3的生长和制备方法。β-Ga2O3通常采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)和金属有机化学气相沉积(...
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β-Ga2O3的晶型为单斜晶系,该晶体以C为中心,其对称性为C2H-3,其空间群是C2/m。在实验中,其晶格常数分别为:OA = a = 12.23,OB = b = 3.040,OC = c = 5.807,α=γ= 90°,β= 103.8°。在晶胞中,存在着不等价晶格点,其中Ga有两个有两个不等价晶格点Ga(I)和Ga(II)。Ga(I)的结构是四面体结构...