B.同主族元素性质具有相似性,Ga与Al同主族,氧化铝的熔沸点很高,则β-Ga2O3也具有很高的熔沸点,故B正确; C. Ga是金属,Ga与Al同主族,同主族元素从上至下金属性逐渐增强,则Ga金属性强于铝,铝能与酸反应,则Ga单质也能与酸反应,故C正确; D.Ga是金属元素,Si是非金属元素,故D错误; 答案选D。反馈...
β-Ga2O3在可见光和紫外光区域具有良好的透光性能,因此可用于制作光学器件,如透明电极、光波导等。 2. β-氧化镓(β-Ga2O3)单晶晶圆的应用 2.1 高功率电子器件 由于β-Ga2O3具有高禁带宽度和高热稳定性,它非常适合用于制作高功率电子器件,如功率开关、整流器和太阳能电池等...
MgO(100)上生长柱状纳米晶b-Ga2O3外延薄膜及其高灵敏度日盲探测器研究Columnar-nanodomained epitaxial b-Ga2O3 thin films on MgO(100) for solar-blind photodetectors with exceedingly high sensitivity何云斌湖北大学教授HE YunbinProfessor of Hubei University ...
基于HfZrO2与b-Ga2O3异质结的高性能自驱动日盲紫外光探测器P-Type SnO2 Fabrication and Construction of SnO2 Homojunction UV Photodetector黎明锴湖北大学材料科学与工程学院教授LIMingkaiProfessor of Hubei University 展开更多 0条评论 guansheng发消息 分享知识,共同成长。把复杂的事情掰扯明白!
β-Ga2O3具有宽带隙(约4.9 eV),高电子迁移率和较高的热导率等特点,使其在高功率器件中具备很好的应用前景。因此,基于β-Ga2O3材料的大功率MOSFETs成为了众多研究者的关注点。 首先,我们需要了解β-Ga2O3的生长和制备方法。β-Ga2O3通常采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy, MBE)和金属有机化学气相沉积(...
β-Ga2O3的晶型为单斜晶系,该晶体以C为中心,其对称性为C2H-3,其空间群是C2/m。在实验中,其晶格常数分别为:OA = a = 12.23,OB = b = 3.040,OC = c = 5.807,α=γ= 90°,β= 103.8°。在晶胞中,存在着不等价晶格点,其中Ga有两个有两个不等价晶格点Ga(I)和Ga(II)。Ga(I)的结构是四面体结构...
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A photograph of the b-Ga2O3 single crystals grown in air is shown in Figure 4. Pale-blue crystals with a diameter of around 47 mm and a body length of 5–10 mm were obtained. When the amount of melt in the basket decreased, the high-frequency heating became unstable. In addition, ...
超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展,β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构、基
本文中所使用的方法是以密度泛函理论为基础的第一性原理方法,采用Materials Studio 8.0中的CASTEP模块建立不同电荷的氧空位和氧间隙位的β-Ga2O3,对于不同的结构进行优化,在优化的基础上我们计算了每个结构的生成焓及形成能,并找到生成焓最低的结构,分析这些结构的晶格常数、体系总能量的变化趋势,以及形成能随费米...