摘要:β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂...
由于合适的带隙(-4.9eV),β- Ga2O3还是理想的日盲光电探测器材料。β- Ga2O3具有高的紫外可见光透过率(对波长大于 254 nm 透过),通过掺杂容易获得良好的 n 型导电,同时具有良好的电导率和高的光学透过率,可用作为深紫外透明导电电极...