深紫外透明电极β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构,基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展...
Ga2O3基紫外探测器件研究方面，率先提出和建立光致界面势垒降低的物理模型，澄清了氧化镓日盲探测器外量子效率普遍偏高的内在机理，得到S.J.Pearton等国际权威的理论和实验认证。日盲紫外探测成像技术在科学研究、生命科学、应用领域以及安全和防御方面都具有广泛的意义，有助于扩展对自然界和人造环境的认知，并提供许多...
摘要:β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是天然的日盲紫外探测及深紫外透明电极材料.本文介绍了Ga203材料的晶体结构、基本物性与器件应用,并综述了β-Ga2O3在深紫外透明导电电极和日盲紫外探测器中的最新研究进展.Sn掺杂...
氧化镓(Ga2O3)半导体具有禁带宽度大(Eg~4.8 eV)、击穿场强高(Ebr~8 MV/cm)、Baliga品质因数高(εμEbr3~3444)、生长成本低(可熔融法生产单晶衬底)等突出优点,是用于下一代高压高功率器件(肖特基势垒二极管(SBD)、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET))和日盲紫外(波长200−280 nm)光电探测器的优选材料...
半导体所在基于氧化镓的日盲紫外偏振光探测器方面取得新进展 和较强的抗干扰能力。然而相对于商用可见光偏振图像传感器芯片而言,日盲紫外偏振光探测器由于难以制备高透光率、高消光比和强抗辐射能力的紫外偏振片,其发展受到一定限制。宽禁带半导体材料氧化镓(β-Ga2O3)由于其超宽带 ...
近十年,世界范围特别是国内对超宽禁带半导体的研究变得更加活跃,不同技术制备的四英寸AlN、金刚石和六英寸Ga2O3衬底相继被报道,Ga2O3和金刚石MOSFET及AlN基HEMT出色的器件性能也有望在电力电子及射频功率领域应用,Ga2O3基日盲探测器、金刚石基辐照探测器和光导开关、AlN基LED等也在光电子、辐射领域取得了突破进展。
Ga2O3材料是继Si、SiC及GaN后的第四代宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达4.9 eV,可定向检测日盲波段的紫外光,且不受太阳光背景辐射的影响,使得该材料有天然的日盲特性。日盲紫外光电探测器 2022-10-25 10:03:23 什么是第四代半导体? 第四代半导体我们其实叫超禁带半导体,它分两个方向,一是超窄禁带,禁带宽度(...
宽禁带(InxGa1-x)2O3半导体薄膜电子结构调控及日盲紫外光电探测器应用研究 (InxGa1-x)2O3薄膜基日盲紫外光电探测器,并利用XPS对材料的电子结构及金属-半导体接触界面的能带匹配进行了详细研究.研究发现,In的掺入有效增强了 Ga2O3的价带... 陈文山 - 厦门大学 被引量: 0发表: 2022年 ...
目前,日盲探测技术可以通过施加滤波片、或者对某些宽禁带半导体材料进行掺杂调控带隙来实现。但是,高质量的紫外滤波片成本较高,多元化合物薄膜生长工艺相对复杂,限制了日盲型紫外探测器的广泛应用。相比之下,Ga2O3材料带隙为4.9eV,对应的吸收波长约为250nm的深紫外光,刚好为日盲紫外波段,被认为是日盲型光电器件的理想...
氧化镓(Gallium Oxide, Ga2O3)是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有高击穿电场强度、低理论导通损耗等优点,特别适合于高压、高频和高温的应用场景。相比传统材料如硅(Si)以及第三代半导体材料如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN),氧化镓在某些性能上表现出更大的优势,如更高的击穿电场强度(高达8 MV/cm)和更低的理论导通...