第一种是在电流等于1uA 时的电压,若前后差异小于30% 的话,便能通过ESD 测试,如图二所示;第二种是包络线(Curve Compare Envelope) ,以ESD 测试之前的IV 曲线为参考,并以测试的最大电压与电流的正负10% 为调整值,将此正负值加诸在
1.1 ESD & Latch Up ESD& Latch Up主要用于测试芯片的ESD& Latch Up的水平,需要项目SE、后端设计工程师、封装工程师、可靠性测试工程师共同参与,主要工作包括:ESD& Latch Up测试方案确定、ESD & Latch Up测试流程执行、测试结果分析及出现失效后的问题定位和解决方案的确定。 1.2 ESD & Latch Up ESD-HBM模拟人...
静电放电闩锁测式(Transient-Induced Latch up) 系统级静电放电模式 (System ESD Test–ESD GUN TEST) 测试ESD I-V Curve量测 过度电性应力EOS (Electrical Overstress)测试 应用领域 芯片零部件与成品模块皆可进行测试 失效模式 EOS失效 特性曲线故障 EOS试验后,以OM显微镜找到芯片组件脆弱点。 苏试宜特服务优势...
ESD,Latch-up测试 介绍
1、ESD模型及有关测试1、ESD模型分类2、HBM和MM测试方法标准3、 CDM模型和测试方法标准4、拴锁测试5、 I-V测试6、标准介绍1、ESD模型分类因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同,经过统计,ESD放电模型分下列四类:(1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM)(2) 机器放电模式 (Machine Model, MM)(3...
ESD/Latch up测试-静电测试 ESD测试(HBM/MM): 随着IC制作工艺的不断演进,芯片的制程尺寸逐渐缩小,现在最新技术已到纳米阶段,但由此而来的IC对静电放电(ESD)的敏感度也随之提升许多。为了减少组件因ESD损伤而造成客户退货及其它损失,组件的ESD防护能力也就成了提升可靠度的重要指标。
海思芯片ESD & Latch-up 测试技术规范V1.3 下载积分:500 内容提示: ESD & Latch Up 测试技术规范 V1.1 拟制: 审核: 批准: 日期: 2019-10-27 文档格式:DOC | 页数:26 | 浏览次数:1000 | 上传日期:2021-06-15 10:38:27 | 文档星级: ESD & Latch Up 测试技术规范 V1.1 拟制: 审核: 批准: 日...
ESD与latchup测试介绍概要1 ESD模型及有关测试 1、ESD模型分类 2、HBM和MM测试方法标准 3、 CDM模型和测试方法标准 4、拴锁测试 5、 I-V测试 6、标准介绍 1、ESD模型分类 因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同,经过统计,ESD放电模型分下列四类: (1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM) (2)...
此机器放电模式工业测试标准为EIAJ-IC-121method20，其等效电路图和等级如下：机器放电模式(MachineModel,MM)2-KVHBM与200-VMM的放电比较如图，虽然HBM的电压2KV比MM的电压200V来得大，但是200-VMM的放电电流却比2-KVHBM的放电电流来得大很多，放电电流波形有上下振动(Ring)的情形，是因为测试机台导线的...
ESD与latchup测试介绍 {"code":"InvalidRange","message":"Therequestedrangecannotbesatisfied.","requestId":"7b576bbc-6624-4326-b7bc-d8a798a219e0"}