esd latch-up原理 ESD(静电放电)引起Latch-up的原理是:当ESD静电加压,可能会从保护电路中引入少量带电载流子到阱或衬底中,会触发可控硅(SCR)电路,引起VDD和GND之间产生大电流,导致Latch-up。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
这种电路利用了CMOS寄生的PNPN结构触发产生并实现Latch-up效应，通过其ON/OFF特性对电路进行保护。设计时，只需考虑如何触发Latch-up并选择适当的因素，但需注意，这种方法仅适用于Layout设计，而不适用于Process，否则可能导致Latch-up失效。然而，ESD的设计学问远不止于此。实际上，ESD的解决方案包括电阻分压、二极管、...
Latch-Up现象是指在集成电路中，当电源引脚与接地引脚之间存在PNP和NPN双极性晶体管时，可能会形成一个低阻抗通路。这种现象会导致电源引脚与接地引脚之间的电流急剧增加。如果电流过大，可能会导致芯片的永久性损坏。静电放电效应（ESD）是电子设备在制造和使用过程中最常遇到的一种破坏性因素。这种现象通常...
它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构触发产生Snap-Back并且Latch-up,通过ON/OFF实现对电路的保护,大家可以回顾一下,只要把上一篇里面那些抑制LATCH-up的factor想法让其发生就可以了,不过只能适用于Layout,不能适用于Process,否则Latch-up又要fail了。
LATCH-UP 是特指芯片内部P型/N型/P型/N型半导体组合成的这个结构发生产生大电流的正反馈导通现象。ESD和其他类型的EOS都有可能造成LATCH-UP,但也未必都是因为LATCH-UP而造成损坏。LATCH-UP也有自己的测试标准。简单的原理是对芯片注入某个量级的触发电流,验证芯片会不会发生LATCH-UP。说了半天,芯片到底是怎么...
这次的课题主要分享静电保护的市场需求,技术挑战及如何设计高抗性的芯片级ESD/Latch-up防护。前半段以深入浅出的方式讲解ESD防护设计概念,后半段解密如何使用代工厂提供的免费ESD器件保护您的芯片,并且延伸至全芯片ESD/Latch-up防护。 此课程兼顾理论及配合实例,带领各位一步步了解如何设计高可靠性的ESD/Latch-up防护...
其中,TLP(Transmission Line Pulse)和Latch-up测试是常用的两种测试方法。TLP测试是通过对器件施加一段时间很短的高压脉冲,来模拟ESD事件对器件的影响。通过不同幅度和极性的脉冲,可以测试器件的ESD容错能力。而Latch-up测试则是用来检测器件在高电压条件下是否会发生Latch-up现象,即器件内部PN结发生反向击穿而导致的失...
Latchup的原理分析(二) Q1为一垂直式PNPBJT,基极(base)是nwell,基极到 集电极(collector)的增益可达数百倍;Q2是一侧面式的 NPNBJT,基极为Psubstrate,到集电极的增益可达数 十倍;Rwell是nwell的寄生电阻;Rsub是substrate电 阻。 以上四元件构成可控硅(SCR)电路,当无外界干 ...
如图2所示,闩锁效应(Latch-up),会导致CMOS电路中电源和地之间寄生的PNP和NPN双极型晶体管(bipolar junction transistor,BJT)相互影响,从而形成一条低阻通路。所谓闩锁,是因为两个BJT形成正反馈“锁在一起”,低阻通路始终无法取消。从器件角度分析,latch-up原理在知乎上已经有了详尽描述,此处贴一个笔者认为十分详细的...