esd latch-up原理 ESD(静电放电)引起Latch-up的原理是:当ESD静电加压,可能会从保护电路中引入少量带电载流子到阱或衬底中,会触发可控硅(SCR)电路,引起VDD和GND之间产生大电流,导致Latch-up。©2022 Baidu |由 百度智能云 提供计算服务 | 使用百度前必读 | 文库协议 | 网站地图 | 百度营销 ...
ESD是指在两个物体之间由于带电的静电荷的突然放电产生的短脉冲,可能对电子器件造成损坏。为了有效防护电子器件免受ESD损害,工程师们研发了一系列ESD保护电路设计。 其中,TLP(Transmission Line Pulse)和Latch-up测试是常用的两种测试方法。TLP测试是通过对器件施加一段时间很短的高压脉冲,来模拟ESD事件对器件的影响。
VDD的驱动能力近似是无穷大的,如果ESD器件的Holding Voltage进入latch up区,使用过程中一旦VDD的扰动开启ESD器件,ESD器件的低阻通路会一直开启,直到烧毁。 b)作用于输出级的ESD防护器件,其Design Window中的Latch-up区为由PMOS的负载曲线,因为PMOS进入饱和区后存在沟道夹断效应,其过电流能力有限,所以Latch-up区的电流...
esdlatchnmoat保护电路保护bjt Latchup •Latchup的定义 •Latchup的原理分析 •产生Latchup的具体原因 •防止Latchup的方法 Latchup的定义 Latchup最易产生在易受外部干扰的I/O电路处,也偶尔 发生在内部电路 Latchup是指cmos晶片中,在电源powerVDD和地线 GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互 影响...
静电放电/过度电性应力/闩锁试验 (ESD/EOS/Latch-up) EOS/ESD造成的客退情形不曾间断,IC过电压承受能力较低,产品就有损坏风险。 对成品厂商而言,除了要求IC供货商测试到所要求的ESD防护等级,对于所选用的IC,其承受EOS的能力也更加关注。 CHINAiSTI 苏试宜特能为您做什么? 苏试宜特能协助您进行测试 ,提供...
1、ESD模型及有关测试1、ESD模型分类2、HBM和MM测试方法标准3、 CDM模型和测试方法标准4、拴锁测试5、 I-V测试6、标准介绍1、ESD模型分类因ESD产生的原因及其对集成电路放电的方式不同,经过统计,ESD放电模型分下列四类:(1) 人体放电模式 (Human-Body Model, HBM)(2) 机器放电模式 (Machine Model, MM)(3...
(ii)ESD静电加压,可能会从保护电路中引入少量带电载流子到阱或衬底中,导致latch-up; Latch-up抑制方法 (i) 保持低于芯片的绝对最大额定值。 (ii)使用氧化物隔离槽(oxide trench)和掩埋氧化物(buried oxide)层隔离NMOS和PMOS器件: 图5 Oxide trench and buried oxide layer to reduce the latch-up effect ...
IC芯片测试之LatchUp测试和芯片测试座 大家都知道IC芯片的可靠性是芯片能不能正常量产的重要指标，那么IC的可靠性都包括哪些呢？ESD（HBM，CDM），HTOL（老化测试）,HAST(封装可靠性测试),BHAST（偏压可靠性测试），当然还有芯片的LatchUp测试，本文中，我不会介绍为什么要进行LatchUp测试，只是要介绍一下LatchUp到底...
1、闩锁效应(latch up)闩锁效应(latch up)是CMOS必须注意的现象,latch我认为解释为回路更合适,大家以后看到latch up就联想到在NMOS与PMOS里面的回路,其实你就懂了一半了.为什么它这么重要?因为它会导致整个芯片的失效,所以latch up是QUAL测试的一种,并且与ESD(静电防护)紧密相关。第一部分 latch up的原理我用一句...
上篇文章的末尾,笔者提到了用CMOS反相器作为TX可能存在的问题,但还剩些余量。本章将以一个CMOS反相器作TX的替代电路作为引子,简单介绍I/O接口电路需要考量的其它因素——闩锁和ESD。图1中提出了所谓“N over N…