Figure 1 represents the hardware schematic for a CDM tester setup to conduct field-induced CDM ESD testing assuming the use of a resistive current probe. The DUT may be an actual device or it may be one of the two verification modules (metal discs) described in Annex A. The pogo pin sha...
CDM模型的充电方式有两种:直接充电和电场感应充电,如图3所示。通过电场感应对DUT进行充电,避免了直接充电可能损伤器件的情况发生,因此,大多数测试标准推荐采用感应充电方式。 图3 CDM模型的2种充电方式 依据JESD22-C101F (Oct, 2013)标准的CDM模型采用了电场感应方式充电,其测试电路如下图4所示。 图4电场感应CDM模拟...
1.5 CDM的静电放电测试 由于组件充电模式(CDM)的静电放电机制与前述的HBM及MM 放电机制不同,因此CDM的静电放电测试如下图所示。 图五 首先,静电电压被充入该集成电路的基体之中,并储存在其基体之中,为避免充电过程造成IC损伤,因此充电电压必须经由一高电阻值(10MΩ以上)的限流电阻对IC基体充电,对P型基体之IC而...
三、CDM模型:充电器件模型CDM不同于HBM和MM两种放电模型,它是指集成电路产品本身在组装或者运输过程中被充电,接触到地或者其他导体时发生电荷转移,电荷从集成电路内部流出。 CDM 测试模拟充电集成电路与接地表面金属接触时所经历的快速放电。这正是现代印刷电路生产线中预期的那种 ESD 应力。印刷电路板自动快速地从一个...
带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联的自动化程度提高,人体...
直接接触测试就是将探针直接与芯片引脚或者衬底接触,提高探针的电势从而对待测芯片进行充电,然后待测引脚连接另一根探针进行放电,实现CDM防护能力验证。电场充放电检测是将待测芯片放置到充电平板上,抬升充电平板的电势能,从而对待测芯片进行充电。笔者所经手项目多以FI-CDM(电场放电测试)为主。
四、 器件CDM级别 所有样本都必须满足以上测试要求,直至达到特定的电压等级(Voltage Level),才能将该种器件归类为如下特定的静电敏感度分级(sensitivity classification)。 CLASS C0A: <125V CLASS C0B: 125 to <250V CLASS C1: 250 to <250V CLASS C2: 500 to 1000V ...
图1 ESD-HBM测试设置(左)根据放电事件生成波形(右)。 充电设备模型 CDM模拟无法通过HBM测试模拟的设备损坏。它可以模拟通过摩擦电效应直接充电的设备,也可以通过存储在人体中并在外部环境中放电的静电感应和静电荷间接地充电。 此测试用于模拟制造环境中发生的情况,例如机械设备处理(其中设备从运输管中滑落)或测试处理...
目前的ESD测试标准有很多种,一般可分为芯片级和系统级,芯片级的测试包括多种静电放电模型,主要有人体模型(HBM)、机器模型(MM)、组件充电模型(CDM)等,系统级测试则包含直接放电和间接放电两种方式,以下将详细介绍各模型相应的测试标准。 一、芯片级ESD测试 ...
主要的ESD测试是人体模型(HBM),机器模型(MM)和充电设备模型(CDM)。 有许多成熟的模型可以针对ESD事件测试半导体器件的可靠性,以确保有效性和可靠性。主要的ESD测试是人体模型(HBM),机器模型(MM)和充电设备模型(CDM)(图1)。 图1.用于 HBM、MM 和 CDM 测试的 ESD 模型。