带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联的自动化程度提高,人体
3场感应模型（Charged Device Model, CDM）CDM测试方法专注于模拟设备自身带电并与接地物体接触时所产生的静电放电。其测试流程包括两个主要步骤：首先，将被测器件充电至特定电压，该电压值依据测试需求而定；紧接着，让该器件与接地物体相接触，并在此过程中测量放电电流。CDM测试更真实地反映了设备在实际应用中可能...
因此，CDM ESD 事件通常会对 CMOS IC 造成内部损坏。与 HBM 和 MM ESD 事件相比，CDM ESD 事件中的放电电流不仅巨大，而且速度更快。由于 CDM ESD 事件的持续时间远短于 HBM 和 MM ESD 事件的持续时间，因此在 ESD 保护电路开启之前，CDM ESD 事件可能会损坏 IC。当信号频率增加时，电容器将成为低阻抗器件。
在深入探讨ESD的原理和工艺之前，我们首先需要了解ESD的标准及相应的测试方法。静电对电路的损伤模式因产生方式而异，常见的测试方式包括人体放电模式（HBM）、机器放电模式（Machine Model）、元件充电模式（CDM）和电场感应模式（FIM）。然而，在实际应用中，前两种模式（HBM和MM）更为常见。人体放电模式（HBM）模拟的...
目前主流CDM的测试方法有两种:一种是直接接触测试。一种是电场测试。 图二.不同CDM测试方法,A.直接接触测试,B.电场充放电测试。 直接接触测试就是将探针直接与芯片引脚或者衬底接触,提高探针的电势从而对待测芯片进行充电,然后待测引脚连接另一根探针进行放电,实现CDM防护能力验证。电场充放电检测是将待测芯片放置到...
ESD的原理和测试 ESD的原理和测试 微波与电磁兼容 轻松学习微波与电磁兼容的基础知识 .静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电⼦元器件或集成电路系统造成过度电应⼒(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压⾮常⾼(>⼏千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会...
CDM ESD敏感元器件静电敏感度等级，参考JS-002标准共分为五个等级。ESD静电放电测试 金鉴是LED领域中技术能力最全面、知名度最高的第三方检测机构之一，围绕高质量LED产品的诞生，从外延片生产、芯片制作、器件封装到LED驱动电源、灯具等产品应用环节，从LED原材料、研发和生产工艺角度，为客户提供以失效分析为核心，...
静电放电（ESD）测试，旨在评估电子设备在遭受静电冲击时的稳定性。由于静电的产生方式和电路损伤模式各异，测试方法也相应地分为四种：人体放电模式（HBM）、机器放电模式（MM）、元件充电模式（CDM）以及电场感应模式（FIM）。然而，在实际应用中，前两种模式（HBM和MM）因其操作简便和普遍适用性而受到广泛采用。1、...